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资料编号:696027
 
资料名称:VP2110K1
 
文件大小: 456.67K
   
说明
 
介绍:
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
 
 


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11/12/01
supertex 公司 做 不 推荐 这 使用 的 它的 产品 在 生命 支持 产品 和 将 不 knowingly 卖 它的 产品 为 使用 在 此类 产品 除非 它 receives 一个 足够的 "产品 责任
indemnification insurance agreement." supertex 做 不 假设 责任 为 使用 的 设备 描述 和 限制 它的 责任 至 这 替换 的 设备 决定 至 是 有缺陷的 预定的 至
workmanship. 非 责任 是 assumed 为 可能 省略 或者 不精确. 电路系统 和 规格 是 主题 至 改变 没有 注意. 为 这 最新的 产品 规格, 谈及 至 这
supertex 网站: http://www.supertex.com. 为 完全 责任 信息 在 所有 supertex 产品, 谈及 至 这 大多数 电流 数据手册 或者 至 这 legal/免责声明 页 在 这 supertex website.
VP2106
VP2110
便条: 看 包装 外形 部分 为 维度.
包装 选项
p-频道 增强-模式
Vertical dmos fets
至-92
产品
发动机 控制
转换器
放大器
Switches
驱动器 (接转, hammers, solenoids, lamps, memories,
显示, 双极 晶体管, 等.)
特性
自由 从 secondary 损坏
低 电源 驱动 必要条件
使容易 的 paralleling
低 c
ISS
和 快 切换 speeds
极好的 热的 稳固
integral 源-流 二极管
高 输入 阻抗 和 高 增益
complementary n- 和 p-频道 设备
先进的 dmos 技术
这些 增强-模式 (正常情况下-止) 晶体管 utilize 一个
vertical dmos 结构 和 supertex’s 好-proven 硅-门
制造 处理. 这个 结合体 生产 设备 和
这 电源 处理 能力 的 双极 晶体管 和 和 这
高 输入 阻抗 和 积极的 温度 系数 inher-
ent 在 mos 设备. 典型的 的 所有 mos 结构, 这些
设备 是 自由 从 热的 runaway 和 thermally-induced
secondary 损坏.
supertex’s vertical dmos fets 是 ideally suited 至 一个 宽 范围
的 切换 和 amplifying 产品 在哪里 高 损坏
电压, 高 输入 阻抗, 低 输入 电容, 和 快
切换 speeds 是 desired.
BV
DSS
/r
ds(在)
I
d(在)
BV
DGS
(最大值) (最小值) 至-92 至-236ab* 消逝
-60v 12
-0.5a VP2106N3
-100v 12
-0.5a VP2110K1 VP2110ND
产品 标记 为 sot-23:
P1A
在哪里
= 2-week alpha 日期 代号
顺序 号码 / 包装
mil visual 放映 有.
*same 作 sot-23. 所有 单位 运输 在 3,000 片 运输车 录音带 reels.
订货 信息
s g d
To-236ab
(sot-23)
顶 视图
S
D
G
绝对 最大 比率
流-至-源 电压 BV
DSS
流-至-门 电压 BV
DGS
门-至-源 电压
±
20V
运行 和 存储 温度 -55
°
c 至 +150
°
C
焊接 temperature* 300
°
C
*
距离 的 1.6 mm 从 情况 为 10 秒.
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