X22C12
1
nonvolatile 静态的 内存
© xicor, 公司 1991, 1995 专利权 pending 特性 主题 至 改变 没有 注意
3817-2.4 7/30/96 t0/c0/d1 sh
特性
•
高 效能 cmos
—150ns 内存 进入 时间
•
高 可靠性
—store 循环: 1,000,000
—data 保持: 100 年
•
低 电源 消耗量
—active: 40ma 最大值
—standby: 100
µ
一个 最大值
•
极大的 排列 recall, 内存 读 和 写 循环
•
nonvolatile store inhibit: v
CC
= 3.5v 典型
•
全部地 ttl 和 cmos 兼容
•
电子元件工业联合会 标准 18-管脚 300-mil 插件
•
100% 兼容 和 x2212
—with 定时 增强
描述
这 x22c12 是 一个 256 x 4 cmos novram featuring 一个
高-速 静态的 内存 overlaid 位-为-位 和 一个 非-
易变的 e
2
prom. 这 novram 设计 准许 数据 至
是 容易地 transferred 从 内存 至 e
2
prom (store)
和 从 e
2
prom 至 内存 (recall). 这 store
运作 是 完成 在里面 5ms 或者 较少 和 这
recall 是 完成 在里面 1
µ
s.
xicor novrams 是 设计 为 unlimited 写 opera-
tions 至 这 内存, 也 recalls 从 e
2
prom 或者
写 从 这 host. 这 x22c12 将 reliably endure
1,000,000 store 循环. 固有的 数据 保持 是
更好 比 100 年.
3817 fhd f01
nonvolatile e
2
PROM
记忆 排列
行
选择
静态的 内存
记忆 排列
column 选择
输入
DATA
控制
控制
逻辑
V
CC
V
SS
COLUMN
i/o 电路
STORE
RECALL
i/o
1
i/o
2
i/o
3
i/o
4
CS
我们
一个
7
一个
6
一个
5
排列
RECALL
STORE
一个
0
一个
2
一个
4
一个
1
一个
3
1k 位
X22C12
256 x 4
函数的 图解 管脚 配置
塑料 插件
CERDIP
一个
7
一个
4
一个
3
一个
2
一个
1
一个
0
CS
V
SS
STORE
1
2
3
4
5
6
7
8
9
18
17
16
15
14
13
12
11
10
V
CC
一个
6
一个
5
i/o
4
i/o
3
i/o
2
i/0
1
我们
X22C12
RECALL
3817 fhd f02
SOIC
3815 fhd f10.1
A7
一个
4
一个
3
一个
2
一个
1
一个
0
CS
V
SS
STORE
RECALL
1
V
CC
一个
6
一个
5
i/o
4
NC
NC
i/o
3
i/o
2
i/o
1
我们
X22C12
2
3
4
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