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资料编号:73388
 
资料名称:EN29LV160JT90S
 
文件大小: 264.83K
   
说明
 
介绍:
16 Megabit (2048K x 8-bit / 1024K x 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only
 
 


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4800 很棒 america parkway, 套房 202 电话: 408-235-8680
santa clara, ca 95054 传真: 408-235-8685
1
EN29LV160J
rev 0.3 释放 日期: 2002/01/30
0.
特点
3.0v, 单独 电源 供应 操作
- 最小化 系统 水平 电源 要求
已制造 开启 0.28 µm 流程 技术
高 业绩
- 访问权限 次 作为 快 作为 70 ns
低 电源 消费 (典型 数值 在 5
mhz)
- 7 ma 典型 活动 阅读 电流
- 15 ma 典型 程序/擦除 电流
- 1
µ
一个 典型 备用 电流 (标准 访问权限
时间 至 活动 模式)
灵活 部门 体系结构:
- 一个 16 kbyte, 两个 8 kbyte, 一个 32 kbyte, 和
三十一 64 kbyte 扇区 (字节 模式)
- 一个 8 kword, 两个 4 kword, 一个 16 kword
和 三十一 32 kword 扇区 (字 模式)
- 支架 已满 芯片 擦除
- 个人 部门 擦除 支持
- 部门 保护:
硬件 锁定 的 扇区 至 防止
程序 或 擦除 运营 内 个人
扇区
另外, 临时 部门 集团
取消保护 允许 代码 变更 入点 先前
已锁定 扇区.
高 业绩 程序/擦除 速度
- 字节 程序 时间: 8µs 典型
- 部门 擦除 时间: 200ms 典型
- 芯片 擦除 时间: 3.5s 典型
电子元件工业联合会 标准 程序 和 擦除
命令
电子元件工业联合会 标准
数据
轮询 和 切换
比特 功能
单独 部门 和 芯片 擦除
部门 取消保护 模式
嵌入式 擦除 和 程序 算法
擦除 挂起 / 简历 模式:
阅读 和 程序 另一个 部门 期间
擦除 挂起 模式
0.28 µm 双金属 双聚
三重井 cmos 闪光灯 技术
低 vcc 写 抑制 &指示灯; 2.5v
>100k 程序/擦除 耐力 循环
48-管脚 tsop (类型 1)
商业 温度 范围
概述 描述
这 en29lv160j 是 一个 16-兆位, 电气 可擦除, 阅读/写 非挥发性 闪光灯 记忆,
有组织的 作为 2,097,152 字节数 或 1,048,576 字词. 任何 字节 可以 是 编程 通常 入点 10µs.
至 消除 这 需要 用于 wait 国家 入点 高性能 微处理器 系统.
这 en29lv160j 有 分开 输出 启用 (
oe
), 芯片 启用 (
ce
), 和 w仪式 启用 (we?)
控件, 哪个 消除 总线 争用 问题. 这个 设备 是 设计 至 允许 要么 单独部门
或 已满 芯片 擦除 操作, 在哪里 每个 部门 可以 是 单独 保护 反对 程序/擦除
运营 或 暂时 未受保护 至 擦除 或 程序. 这 设备 可以 维持 一个 最小值 的
100k 程序/擦除 循环次数 开启 每个 部门.
en29lv160j ******preliminary draft******
16 兆位 (2048k x 8-有点 / 1024k x 16-有点) 闪光灯 记忆
引导 部门 闪光灯 记忆, cmos 3.0 仅电压
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