bzt55c...
vishay telefunken
rev. 3, 01-apr-99 1 (6)
www.vishay.de
•
faxback +1-408-970-5600
文档 号码 85601
硅 外延的 planar z–diodes
特性
D
非常 sharp 反转 典型的
D
低 反转 电流 水平的
D
非常 高 稳固
D
低 噪音
D
有 和 tighter 容忍
产品
电压 stabilization
96 12009
绝对 最大 比率
T
j
= 25
_
C
参数 测试 情况 类型 标识 值 单位
电源 消耗
R
thJA
x
300k/w
P
V
500 mW
Z–current I
Z
P
V
/v
Z
毫安
接合面 温度 T
j
175
°
C
存储 温度 范围 T
stg
–65...+175
°
C
最大 热的 阻抗
T
j
= 25
_
C
参数 测试 情况 标识 值 单位
接合面 包围的 在 pc 板 50mmx50mmx1.6mm R
thJA
500 k/w
电的 特性
T
j
= 25
_
C
参数 测试 情况 类型 标识 最小值 Typ 最大值 单位
向前 电压 I
F
=200mA V
F
1.5 V