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至-264 aa (ixfk)
S
G
D
D
S
G
S
S
G
S
D
minibloc, sot-227 b (ixfn)
E153432
(tab)
g = 门 D=流
s = 源 tab = 流
也 源 终端 在 minibloc 能 是 使用
作 主要的 或者 kelvin 源
特性
•
国际的 标准 包装
•
电子元件工业联合会
至-264 aa,
环氧的
满足
UL
94
v-0, flammability 分类
•
minibloc,
和 aluminium 渗氮
分开
•
低 r
ds (在)
HDMOS
TM
处理
•
坚毅的 polysilicon 门 cell 结构
•
unclamped inductive 切换 (uis)
评估
•
低 包装 电感
•
快 intrinsic 整流器
产品
•
直流-直流 转换器
•
电池 chargers
•
切换-模式 和 resonant-模式
电源 供应
•
直流 choppers
•
温度 和 lighting 控制
有利因素
•
容易 至 挂载
•
空间 savings
•
高 电源 密度
标识 测试 情况 典型的 值
(t
J
= 25
°
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
V
DSS
V
GS
= 0 v, i
D
= 3 毫安 800 V
V
DSS
温度 系数 0.096 %/k
V
gh(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 8 毫安 2 4.5 V
V
gs(th)
温度 系数 -0.214 %/k
I
GSS
V
GS
=
±
20 v
直流
, v
DS
= 0
±
200 nA
I
DSS
V
DS
= 0.8 • v
DSS
T
J
= 25
°
C 500
µ
一个
V
GS
= 0 v T
J
= 125
°
C2mA
R
ds(在)
V
GS
= 10 v, i
D
= 0.5 • i
D25
脉冲波 测试, t
≤
300
µ
s, 25N80 0.35
Ω
职责 循环 d
≤
2 % 27N80 0.30
Ω
标识 测试 情况 最大 比率
IXFK IXFN
V
DSS
T
J
= 25
°
c 至 150
°
C 800 800 V
V
DGR
T
J
= 25
°
c 至 150
°
c; r
GS
= 1 m
Ω
800 800 V
V
GS
持续的
±
20
±
20 V
V
GSM
瞬时
±
30
±
30 V
I
D25
T
C
= 25
°
c, 碎片 能力 27N80 27 27 一个
25N80 25 25 一个
I
DM
T
C
= 25
°
c, 脉冲波 宽度 限制 用 t
JM
27N80 108 108 一个
T
C
= 25
°
C 25N80 100 100 一个
I
AR
27N80 14 14 一个
25N80 13 13 一个
E
AR
T
C
= 25
°
C3030mJ
dv/dt
I
S
≤
I
DM
, di/dt
≤
100 一个/
µ
s, v
DD
≤
V
DSS
, 5 5 v/ns
T
J
≤
150
°
c, r
G
= 2
Ω
P
D
T
C
= 25
°
C 500 520 W
T
J
-55 ... +150
°
C
T
JM
150
°
C
T
stg
-55 ... +150
°
C
T
L
1.6 mm (0.063 在) 从 情况 为 10 s 300 -
°
C
V
ISOL
50/60 hz, rms t = 1 最小值 - 2500 V~
I
ISOL
≤
1 毫安 t = 1 s - 3000 V~
M
d
挂载 torque 0.9/6 1.5/13 nm/lb.在.
终端 连接 torque - 1.5/13 nm/lb.在.
重量
10 30 g
HiPerFET
TM
电源 mosfets
n-频道 增强 模式
avalanche 评估, 高 dv/dt, 低 t
rr
95561d(6/02)
V
DSS
I
D25
R
ds(在)
ixfk 27n80 800 v 27 一个 0.30
ΩΩ
ΩΩ
Ω
ixfk 25n80 800 v 25 一个 0.35
ΩΩ
ΩΩ
Ω
ixfn 27n80 800 v 27 一个 0.30
ΩΩ
ΩΩ
Ω
ixfn 25n80 800 v 25 一个 0.35
ΩΩ
ΩΩ
Ω
不 为 新 设计
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