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2001
文档 非. m15867ej5v0ds00 (5th 版本)
日期 发行 8月 2002 ns cp (k)
打印 在 日本
mos 整体的 电路
µ
µµ
µ
pd4664312-x
64m-位 cmos mobile 指定 内存
4m-文字 用 16-位
扩展 温度 运作
初步的 数据 薄板
这 mark
显示 主要的 修订 点.
描述
这
µ
pd4664312-x 是 一个 高 速, 低 电源, 67,108,864 位 (4,194,304 words 用 16 bits) cmos mobile
指定 内存 featuring 低 电源 静态的 内存 兼容 函数 和 管脚 配置.
这
µ
pd4664312-x 是 fabricated 和 先进的 cmos 技术 使用 一个-晶体管 记忆 cell.
这
µ
pd4664312-x 是 packed 在 93-管脚 录音带 fbga.
特性
•
4,194,304 words 用 16 位 organization
•
快 进入 时间: 65, 75 ns (最大值.)
•
快 页 进入 时间: 18, 25 ns (最大值.)
•
字节 数据 控制: /lb (i/o0 至 i/o7), /ub (i/o8 至 i/o15)
•
低 电压 运作: 2.7 至 3.1 v (-b65x)
2.7 至 3.1 v (碎片), 1.65 至 2.1 v (i/o) (-be75x)
•
运行 包围的 温度: t
一个
= –25 至 +85 °c
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输出 使能 输入 为 容易 应用
•
碎片 使能 输入: /cs 管脚
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备用物品 模式 输入: 模式 管脚
•
备用物品 mode1: 正常的 备用物品 (记忆 cell 数据 支撑 有效的)
•
备用物品 mode2: 密度 的 记忆 cell 数据 支撑 是 能变的
µ
PD4664312 进入 运行 供应 运行 供应 电流
时间 电压 包围的 在 运行 在 备用物品
µ
一个 (最大值.)
ns (最大值.) V 温度 毫安 (最大值.) 密度 的 数据 支撑
碎片 i/o °C 64m 位 16m 位 8m 位 4m 位 0m 位
-b65x 65 2.7 至 3.1 – –25 至 +85 45 100 60 50 45 10
-be75x
便条
75 2.7 至 3.1 1.65 至 2.1 40
便条
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