电源 晶体管
1
发行 日期: april 2003 SJD00045AED
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级-发射级 电压
2SB1169 V
CEO
I
C
=
−
30 毫安, i
B
=
0
−
60 V
(根基 打开)
2SB1169A
−
80
根基-发射级 电压 V
是
V
CE
=
−
4 v, i
C
=
−
1 一个
−
1.3 V
集电级-发射级 截止
2SB1169 I
CES
V
CE
=
−
60 v, v
是
=
0
−
200
µ
一个
电流 (e-b 短的)
2SB1169A
V
CE
=
−
80 v, v
是
=
0
−
200
集电级-发射级 截止
2SB1169 I
CEO
V
CE
=
−
30 v, i
B
=
0
−
300
µ
一个
电流 (根基 打开)
2SB1169A
V
CE
=
−
60 v, i
B
=
0
−
300
发射级-根基 截止 电流 (集电级 打开)
I
EBO
V
EB
=
−
5 v, i
C
=
0
−
1mA
向前 电流 转移 比率 h
FE1
*
V
CE
=
−
4 v, i
C
=
−
0.2 一个 40 450
h
FE2
V
CE
=
−
4 v, i
C
=
−
1 一个 15
集电级-发射级 饱和 电压 V
ce(sat)
I
C
=
−
1 一个, i
B
=
−
0.125 一个
−
1V
转变 频率 f
T
V
CE
=
−
10 v, i
C
=
−
0.5 一个, f
=
10 mhz 40 MHz
转变-在 时间 t
在
I
C
=
−
1 一个, i
B1
=
−
50 毫安, i
B2
=
50 毫安
0.5
µ
s
strage 时间 t
stg
V
CC
=
−
50 v 1.2
µ
s
下降 时间 t
f
0.3
µ
s
2sb1169, 2sb1169a
硅 pnp 外延的 planar 类型
为 电源 放大器
■
特性
•
高 向前 电流 转移 比率 h
FE
这个 有 satisfactory 线性
•
低 集电级-发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
•
i 类型 包装 enabling 直接 焊接 的 这 radiating fin 至 这
打印 电路 板, 等 的 小 电子的 设备.
■
绝对 最大 比率
T
C
=
25
°
C
■
电的 特性
T
C
=
25
°
C
±
3
°
C
7.0
±
0.3
3.5
±
0.2
0˚ 至 0.15˚
12.6
±
0.3
7.2
±
0.3
2.5
±
0.2
2.5
±
0.2
(1.0)(1.0)
1.0
±
0.2
3.0
±
0.2
2.0
±
0.2
1.1
±
0.1
0.75
±
0.1
0.9
±
0.1
0˚ 至 0.15˚
0.4
±
0.1
2.3
±
0.2
4.6
±
0.4
123
单位 : mm
1: 根基
2: 集电级
3: 发射级
i-g1 包装
参数 标识 比率 单位
集电级-根基 电压
2SB1169 V
CBO
−
60 V
(发射级 打开)
2SB1169A
−
80
集电级-发射级 电压
2SB1169 V
CEO
−
60 V
(根基 打开)
2SB1169A
−
80
发射级-根基 电压 (集电级 打开) V
EBO
−
5V
集电级 电流 I
C
−
1A
顶峰 集电级 电流 I
CP
−
2A
集电级 电源 消耗 P
C
15 W
T
一个
=
25
°
C 1.3
接合面 温度 T
j
150
°
C
存储 温度 T
stg
−
55
∼ +
150
°
C
分级 R Q P O
h
FE1
40 至 90 70 至 150 120 至 250 200 至 450
便条) 自-supported 类型 包装 是 也 准备好.
便条) 1. 测量 方法是 为基础 在 japanese 工业的 标准 jis c 7030 测量 方法 为 晶体管.
2.
*
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