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EN29LV400A
特点
EN29LV400A
4 兆位 (512k x 8-有点 / 256k x 16-有点) 闪光灯 记忆
引导 部门 闪光灯 记忆, cmos 3.0 仅电压
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3v, 单独 电源 供应 操作
- 已满 电压 范围: 2.7-3.6 电压 阅读 和 写
运营 用于 电池供电 应用程序.
- 受规管 电压 范围: 3.0-3.6 电压 阅读
和 写 运营 用于 兼容性 与
高 业绩 3.3 电压 微处理器.
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高 业绩
- 访问权限 次 作为 快 作为 45 ns
•
低 电源 消费 (典型 数值 在 5
mhz)
- 7 ma 典型 活动 阅读 电流
- 15 ma 典型 程序/擦除 电流
- 1
µ
一个 典型 备用 电流 (标准 访问权限
时间 至 活动 模式)
•
灵活 部门 体系结构:
- 一个 16 k-字节, 两个 8 k-字节, 一个 32 k-字节,
和 七 64 k-字节 扇区 (字节 模式)
- 一个 8 k-字, 两个 4 k-字, 一个 16 k-字
和 七 32 k-字 扇区 (字 模式)
•
部门 保护:
- 硬件 锁定 的 扇区 至 防止
程序 或 擦除 运营 内 个人
扇区
- 另外, 临时 部门 取消保护
允许 代码 变更 入点 先前 已锁定
扇区.
•
高 业绩 程序/擦除 速度
- 字节/字 程序 时间: 8µs 典型
- 部门 擦除 时间: 500ms 典型
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电子元件工业联合会 标准 嵌入式 擦除 和
程序 算法
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电子元件工业联合会 标准 data# 轮询 和 切换
比特 功能
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单独 部门 和 芯片 擦除
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部门 取消保护 模式
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擦除 挂起 / 简历 模式:
阅读 或 程序 另一个 部门 期间
擦除 挂起 模式
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三金属 双聚 三重井 cmos
闪光灯 技术
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低 vcc 写 抑制 &指示灯; 2.5v
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最小值 1,000k 程序/擦除 耐力
循环
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包装 选项
- 48-管脚 tsop (类型 1)
- 48-球 6mm x 8mm fbga
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商业 和 工业 温度
范围
概述 描述
这 en29lv400a 是 一个 4-兆位, 电气 时代能, 阅读/写 非挥发性 闪光灯 记忆,
有组织的 作为 524,288 字节数 或 256,144 字词. 任何 由te 可以 是 编程 通常 入点 8µs. 这
en29lv400a 特点 3.0v 电压 右ead 和 写 操作, 与 访问权限 次 作为 快 作为 45ns 至
消除 这 需要 用于 等待 国家 入点高性能 微处理器 系统.
这 en29lv400a 有 分开 输出 启用 (oe#),芯片 启用 (ce#), 和 写 启用 (we#)
控件, 哪个 消除 总线 控制注意 问题. 这个 设备 是设计 至 允许 要么 单独
部门 或 已满 芯片 擦除 操作, 在哪里 each 部门 可以 是 单独 保护 反对
程序/擦除 运营 或 暂时 未受保护 至 擦除 或程序. 这 设备 可以 维持
一个 最小值 的 100k 程序/擦除 循环次数 开启 每个 部门.
rev. 一个, 问题 日期: 2005/01/07
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