©2003 仙童 半导体 公司
六月 2003
isl9n306ad3 / isl9n306ad3st
isl9n306ad3 / isl9n306ad3st rev. b2
源
isl9n306ad3 / isl9n306ad3st
n-频道 逻辑 水平的 pwm 优化 ultrafet
®
trench 电源 mosfets
30v, 50a, 6m
Ω
一般 描述
这个 设备 雇用 一个 新 先进的 trench 场效应晶体管
技术 和 特性 低 门 承担 当 维持
低 在-阻抗.
优化 为 切换 产品, 这个 设备 改进
这 整体的 效率 的 直流/直流 转换器 和 准许
运作 至 高等级的 切换 发生率.
产品
• 直流/直流 转换器
特性
•fast 切换
•r
ds(在)
= 0.0052
Ω
(典型值), v
GS
= 10v
•r
ds(在)
= 0.0085
Ω
(典型值), v
GS
= 4.5v
•Q
g
(典型值) = 30nc, v
GS
= 5v
•Q
gd
(典型值) = 11nc
•C
ISS
(典型值) = 3400pf
场效应晶体管 最大 比率
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
热的 特性
包装 标记 和 订货 信息
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流 至 源 电压 30 V
V
GS
门 至 源 电压
±
20 V
I
D
流 电流
50 一个
持续的 (t
C
= 25
o
c, v
GS
= 10v)
持续的 (t
C
= 100
o
c, v
GS
= 4.5v) 50 一个
持续的 (t
C
= 25
o
c, v
GS
= v, r
θ
JC
= 52
o
c/w) 16 一个
搏动 图示 4 一个
P
D
电源 消耗
减额 在之上 25
o
C
125
0.83
W
w/
o
C
T
J
, t
STG
运行 和 存储 温度 -55 至 175
o
C
R
θ
JC
热的 阻抗 接合面 至 情况 至-251, 至-252 1.2
o
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗 接合面 至 包围的 至-251, 至-252 100
o
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗 接合面 至 包围的 至-252, 1in
2
铜 垫子 范围 52
o
c/w
设备 标记 设备 包装 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
N306AD ISL9N306AD3ST 至-252aa 330mm 16mm 2500 单位
N306AD ISL9N306AD3 至-251aa Tube n/一个 75 单位
门
流 (flange)
D
G
S
至-252
(flange)
流
门
流
源
至-251
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