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资料编号:836929
 
资料名称:IRFR3410
 
文件大小: 140K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
符号 参数 最大值 单位
v
ds
漏源 电压 100 v
v
gs
栅极到源极 电压 ± 20
d
@ t
c
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 31
d
@ t
c
= 100°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 22 一个
dm
脉冲 排水管 电流
125
p
d
@T
c
= 25°c 最大值 电源 耗散 110 w
p
d
@T
一个
= 25°c 最大值 电源 耗散 3.0
线性 降额 因素 0.
设计验证/dt 峰值二极管 回收 设计验证/dt
15 v/ns
t
j
操作 接合点 和 -55 至 + 175 °C
t
stg
存储 温度 范围
焊接 温度, 用于 10 秒 300 (1.6mm 从 案例 )
www.irf.com 1
9/23/02
IRFR3410
IRFU3410
HEXFET
电源 场效应晶体管
v
DSS
ds(开启)
最大值
d
100V 39m
31A
备注

通过
是 开启 第页 10
d-pak
IRFR3410
我-pak
IRFU3410

高 频率 直流-直流 转换器
好处
应用程序
低 栅极至漏极 费用 至 减少
开关 损失
完全 表征 电容 包括
有效 c
开放源码软件
至 简化 设计, (请参见
应用程序. 备注 an1001)
完全 表征 雪崩 电压
和 电流
参数 典型值 最大值 单位
θ
jc
连接至壳体 ––– 1.4
θ
ja
交叉点到环境 (pcb 安装)* ––– 40 °c/w
θ
ja
交叉点到环境 ––– 110
热 电阻
绝对 最大值 额定值
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