M27W512-150F6TR_集成电路资料查询网

1/21十一月 2004
M27W512
512 kbit (64k x8) 低 电压 uv 非易失存储器 和 otp 非易失存储器
特性 summary
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2.7 至 3.6v 供应 电压 在 读
运作
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进入 时间:
– 70ns 在 v
CC
= 3.0 至 3.6v
– 80ns 在 v
CC
= 2.7 至 3.6v
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管脚 兼容 和 m27c512
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低 电源 消耗量:
– 15µa 最大值 备用物品 电流
– 15ma 最大值 起作用的 电流 在 5mhz
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程序编制 时间 100µs/字节
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高 可靠性 cmos 技术
– 2000v 静电释放 保护
– 200ma latchup 保护 免除
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电子的 signature
– 生产者 代号: 20h
– 设备 代号: 3dh
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包装
– 含铅的-自由 版本
图示 1. 包装
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28
fdip28w (f)
28
1
pdip28 (b)
plcc32 (k)
tsop28 (n)
8 x 13.4 mm

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1/21十一月 2004 M27W512 512 kbit (64k x8) 低电压 uv 非易失存储器和 otp 非易失存储器特性 summary ■ 2.7 至 3.6v 供应电压在读运作 ■ 进入时间: – 70ns 在 v CC = 3.0 至 3.6v – 80ns 在 v CC = 2.7 至 3.6v ■ 管脚兼容和 m27c512 ■ 低电源消耗量: – 15µa 最大值备用物品电流 – 15ma 最大值起作用的电流在 5mhz ■ 程序编制时间 100µs/字节 ■ 高可靠性 cmos 技术 – 2000v 静电释放保护 – 200ma latchup 保护免除 ■ 电子的 signature – 生产者代号: 20h – 设备代号: 3dh ■ 包装 – 含铅的-自由版本图示 1. 包装 1 28 fdip28w (f) 28 1 pdip28 (b) plcc32 (k) tsop28 (n) 8 x 13.4 mm

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