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资料编号:8527
 
资料名称:EN29LV160AB-70BCP
 
文件大小: 930.45K
   
说明
 
介绍:
16 MEGABIT (2048K X 8- BIT / 1024 K X 16-BIT) FLASH MEMORY
 
 


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或 修改 到期 至 变更入点 技术类 规格.
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EN29LV160A
EN29LV160A
16 兆位 (2048k x 8-有点 / 1024k x 16-有点) 闪光灯 记忆
引导 部门 闪光灯 记忆, cmos 3.0 仅电压
特点
3.0v, 单独 电源 供应 操作
- 最小化 系统 水平 电源 要求
高 业绩
低 电源 消费 (典型 数值 在 5
mhz)
- 9 ma 典型 活动 阅读 电流
- 20 ma 典型 程序/擦除 电流
- 较少 比 1
µ
一个 备用 电流
灵活 部门 体系结构:
- 一个 16-kbyte, 两个 8-kbyte, 一个 32-kbyte,
和 三十一 64-kbyte 扇区 (字节 模式)
- 一个 8-kword, 两个 4-kword, 一个 16-kword
和 三十一 32-kword 扇区 (字 模式)
部门 保护 :
- 硬件 锁定 的 扇区 至 防止
程序 或 擦除 运营 内 个人
扇区
- 另外, 临时 部门 集团
取消保护 允许 代码变更 入点 先前
已锁定 扇区.
高 业绩 程序/擦除 速度
- 字节/字 程序 时间: 8µs 典型
- 部门 擦除 时间: 500ms 典型
- 芯片 擦除 时间: 17.5s 典型
电子元件工业联合会 标准 程序 和 擦除
命令
电子元件工业联合会 标准 data# 轮询 和 切换
比特 功能
单独 部门 和 芯片 擦除
部门 取消保护 模式
嵌入式 擦除 和 程序 算法
擦除 挂起 / 简历 模式:
阅读 和 程序 另一个 部门 期间
擦除 挂起 模式
三金属 双聚 三重井 cmos
闪光灯 技术
低 vcc 写 抑制 &指示灯; 2.5v
最小值 1,000k 程序/擦除 耐力
循环
包装 选项
- 48-管脚 tsop (类型 1)
- 48 球 6mm x 8mm fbga
商业 和 工业 温度
范围
概述 描述
这 en29lv160a 是 一个 16-兆位, 电气 时代能, 阅读/写 非挥发性 闪光灯 记忆,
有组织的 作为 2,097,152 字节数 或 1,048,576 字词. 一个y 字节 可以 是 编程 通常 入点 8µs.
这 en29lv160a 特点 3.0v 电压 阅读 和 令状e? 操作, 与 访问权限 次 作为 快 作为
70ns 至 消除 这 需要 用于 等待 国家入点 高性能 微处理器 系统.
这 en29lv160a 有 分开 输出 启用 (oe#), 芯片 启用 (ce#), 和 写 启用
(we#) 控件, 哪个 消除 总线 争用 国际空间站ues. 这个 设备 是 设计 至 允许 要么
单独部门 或 已满 芯片 擦除 操作, 在哪里 每个 部门 可以 是 单独 保护
反对 程序/擦除 运营 或 暂时 未受保护 至 擦除 或 程序. 这 设备
可以 维持 一个 最小值 的 1,000k 公共关系图/擦除 循环次数 开启 每个 部门.
rev. c, 问题 日期: 2005/01/07
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