umh8n / imh8a
晶体管
rev.一个 1/2
一般 目的 (双 数字的 晶体管)
umh8n / imh8a
z
特性
1) 二 dtc114t 碎片 在 一个 emt 或者 umt 或者 smt
包装.
z
相等的 电路
UMH8N
R
1
R
1
R
1
=
10k
Ω
R
1
=
10k
Ω
IMH8A
R
1
R
1
(1)(2)(3)
(4) (5) (6)
(6)(5)(4)
(3) (2) (1)
z
包装, 标记, 和包装 规格
类型
UMH8N
UMT6
H8
TR
3000
IMH8A
SMT6
H8
T108
3000
包装
标记
代号
基本 订货 单位 (片)
z
绝对 最大 比率
(ta=25
°
c)
参数 标识
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Pd
Tj
Tstg
限制
50
50
5
100
300(总的)
150(总的)
UMH8N
IMH8A
150
−
55
至
+
150
单位
V
V
V
毫安
mW
°
C
°
C
集电级-根基 电压
集电级-发射级 电压
发射级-根基 电压
集电级 电流
电源 消耗
接合面 温度
存储 温度
∗
1 120mw 每 元素 必须 不 是 超过.
∗
2 200mw 每 元素 必须 不 是 超过.
∗
1
∗
2
z
外部 维度
(单位 : mm)
UMH8N
各自 含铅的 有 一样 维度
rohm : umt6
eiaj : sc-88
0~0.1
(
6
)
2.0
1.3
0.9
0.15
0.7
0.1min.
2.1
0.65
0.2
1.25
(
1
)
0.65
(
4
)
(
3
)
(
2
)
(
5
)
IMH8A
各自 含铅的 有 一样 维度
rohm : smt6
eiaj : sc-74
(
6
)(
5
)(
4
)
0.3min.
0.15
0.3
1.1
0.8
0~0.1
(
3
)
2.8
1.6
1.9
2.9
0.95
(
2
)
0.95
(
1
)
z
电的 特性
(ta=25
°
c)
参数 标识 最小值 典型值 最大值
单位
情况
转变 频率
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
ce(sat)
h
FE
f
T
50
50
5
−
−
−
100
−
−
−
−
−
−
−
250
−
250
−
−
−
0.5
0.5
0.3
600
−
V
V
V
µ
一个
µ
一个
V
−
MHz
∗
R
1
71013
k
Ω
I
C
=
50
µ
一个
I
C
=
1mA
I
E
=
50
µ
一个
V
CB
=
50V
V
EB
=
4V
V
CE
=
10v, i
E
= −
5ma, f
=
100MHz
I
C
/i
B
=
10ma/1ma
V
CE
=
5v, i
C
=
1mA
∗
转变 频率 的 这 设备.
集电级-根基 损坏 电压
集电级-发射级 损坏 电压
发射级-根基 损坏 电压
集电级 截止 电流
发射级 截止 电流
集电级-发射级 饱和 电压
直流 电流 转移 比率
输入 阻抗
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