emg6 / umg6n / umh14n / fmg6a / imh14a / imh15a
晶体管
一般 目的 (双 数字的 晶体管)
emg6 / umg6n / umh14n / fmg6a /
imh14a / imh15a
!
!!
!
特性
1) 二 dtc114t 碎片 在 一个 emt 或者 umt 或者 smt 包装.
!
!!
!
相等的 电路
emg6 / umg6n
R
1
R
1
FMG6
R
1
R
1
UMH14N
R
1
R
1
R
1
R
1
IMH15A
(3)
(4) (5)/(6) (2) (1)
(2) (1) (3) (4) (5)
(3)
(4) (5) (6)
(2) (1)
IMH14A
R
1
R
1
(4)
(3) (2) (1) (3) (2) (1)
(5) (6) (4) (5) (6)
!
!!
!
绝对 最大 比率
(ta=25
°
c)
参数 标识
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Pc
Tj
Tstg
限制
50
50
5
100
300(总的)
150(总的)
emg6 / umg6n / umh14n
fmg6a / imh14a / imh15a
150
−
55
~
+
150
单位
V
V
V
毫安
mW
°
C
°
C
集电级-根基 电压
集电级-发射级 电压
发射级-根基 电压
集电级 电流
集电级 电源
消耗
接合面 温度
存储 温度
!
!!
!
电的 特性
(ta=25
°
c)
参数 标识 最小值 典型值 最大值
单位
情况
转变 频率
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
ce(sat)
h
FE
f
T
50
50
5
−
−
−
100
−
−
−
−
−
−
−
250
−
250
−
−
−
0.5
0.5
0.3
600
−
V
V
V
µ
一个
µ
一个
V
−
MHz
∗
R
1
32.9 47 61.1
k
Ω
I
C
=
50
µ
一个
I
C
=
1mA
I
E
=
50
µ
一个
V
CB
=
50V
V
EB
=
4V
V
CE
=
10v, i
E
=−
5ma, f
=
100MHz
I
C
/i
B
=
5ma/0.5ma
V
CE
/i
C
=
5v/1ma
∗
转变 频率 的 这 设备.
集电级-根基 损坏 电压
集电级-发射级 损坏 电压
发射级-根基 损坏 电压
集电级 截止 电流
发射级 截止 电流
集电级-发射级 饱和 电压
直流 电流 转移 比率
输入 阻抗
!
!!
!
包装, 标记, 和 包装 规格
类型
UMG6N
UMT5
G6
TR
3000
EMG6
EMT5
G6
T2R
8000
UMH14N
UMT6
H14
TR
3000
IMH14A
SMT6
H14
T108
3000
IMH15A
SMT6
H15
T110
3000
FMG6A
SMT5
G6
T148
3000
包装
标记
代号
基本 订货 单位 (片)
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