提醒 electro-静态的 敏感的 设备
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双极 相似物 整体的 电路
µ
µµ
µ
pc8128tb,
µ
µµ
µ
pc8151tb,
µ
µµ
µ
PC8152TB
硅 mmic 低 电流 放大器
为 cellular/cordless telephones
文档 非. p12549ej3v0ds00 (3rd 版本)
日期 发行 二月 2001 n cp(k)
打印 在 日本
数据 薄板
©
1997, 2001
这 mark 显示 主要的 修订 点.
描述
这
µ
pc8128tb,
µ
pc8151tb 和
µ
pc8152tb 是 硅 大而单一的 整体的 电路 设计 作 缓存区
放大器 为 cellular 或者 cordless telephones. 这些 放大器 能 realize 低 电流 消耗量 和 外部
碎片 inductor (eg 1005 大小) 这个 能 不 是 认识到 在 内部的 50
Ω
wideband matched ic. 这些 低 电流
放大器 运作 在 3.0 v.
这些 ics 是 制造的 使用 nec’s 20 ghz f
T
nesat™ iii 硅 双极 处理. 这个 处理 使用
硅 渗氮 passivation 影片 和 金 electrodes. 这些 材料 能 保护 碎片 表面 从 外部 pollution
和 阻止 corrosion/migration. 因此, 这些 ics 有 极好的 效能, 统一 和 可靠性.
特性
• 供应 电压 : v
CC
= 2.4 至 3.3 v
• 低 电流 消耗量 :
µ
PC8128TB ; i
CC
= 2.8 毫安 典型值 @v
CC
= 3.0 v
µ
PC8151TB ; i
CC
= 4.2 毫安 典型值 @v
CC
= 3.0 v
µ
PC8152TB ; i
CC
= 5.6 毫安 典型值 @v
CC
= 3.0 v
• 高 效率 :
µ
PC8128TB ; p
o(1 db)
=
−
4.0 dbm 典型值 @f = 1 ghz
µ
PC8151TB ; p
o(1 db)
= +2.5 dbm 典型值 @f = 1 ghz
µ
PC8152TB ; p
o(1 db)
=
−
4.5 dbm 典型值 @f = 1 ghz
• 电源 增益 :
µ
pc8128tb, 8151tb ; g
P
= 12.5 db 典型值 @f = 1 ghz
µ
PC8152TB ; g
P
= 23 db 典型值 @f = 1 ghz
• 极好的 分开 :
µ
PC8128TB ; isl = 39 db 典型值 @f = 1 ghz
:
µ
PC8151TB ; isl = 38 db 典型值 @f = 1 ghz
:
µ
PC8152TB ; isl = 40 db 典型值 @f = 1 ghz
• 运行 频率 : 100 至 1 900 mhz (输出 端口 lc 相一致)
• 高-密度 表面 挂载 : 6-管脚 超级的 minimold 包装 (2.0
×
1.25
×
0.9 mm)
• 明亮的 重量 : 7 mg (标准 值)
应用
• 缓存区 放大器 在 800 至 1 900 mhz cellular 或者 cordless telephones
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