提醒 electro-静态的 敏感的 设备
这 信息 在 这个 文档 是 主题 至 改变 没有 注意. 在之前 使用 这个 文档, 请
confirm 那 这个 是 这 最新的 版本.
不 所有 设备/类型 有 在 每 country. 请 审查 和 local nec 代表 为
有效性 和 额外的 信息.
双极 相似物 整体的 电路
P
PP
P
pc8128ta,
P
PP
P
pc8151ta,
P
PP
P
PC8152TA
硅 mmic 低 电流 放大器
为 cellular/cordless telephones
文档 非. p14637ej1v0ds00 (1st 版本)
日期 发行 april 2000 n cp(k)
打印 在 日本
初步的 数据 薄板
2000©
描述
这
P
pc8128ta,
P
pc8151ta 和
P
pc8152ta 是 硅 大而单一的 整体的 电路 设计 作 缓存区
放大器 为 cellular / cordless telephones. 这些 放大器 能 realize 低 电流 消耗量 和 外部 碎片
inductor (例子: 1005 大小) 这个 能 不 是 认识到 在 内部的 50
:
wideband matched ic. 这些 低 电流
放大器 运作 在 3.0 v.
这些 ics 是 制造的 使用 nec’s 20 ghz f
T
nesat™ iii 硅 双极 处理. 这个 处理 使用
硅 渗氮 passivation 影片 和 金 electrodes. 这些 材料 能 保护 碎片 表面 从 外部 pollution
和 阻止 corrosion/migration. 因此, 这些 ics 有 极好的 效能, 统一 和 可靠性.
特性
• 低 电流 消耗量 :
P
PC8128TA ; i
CC
= 2.8 毫安 典型值 @ v
CC
= 3.0 v
P
PC8151TA ; i
CC
= 4.2 毫安 典型值 @ v
CC
= 3.0 v
P
PC8152TA ; i
CC
= 5.6 毫安 典型值 @ v
CC
= 3.0 v
• 供应 电压 : v
CC
= 2.4 至 3.3 v
• 高 效率 :
P
PC8128TA ; p
o (1 db)
=
ð
4.0 dbm 典型值 @ f = 1 ghz
P
PC8151TA ; p
o (1 db)
= +2.5 dbm 典型值 @ f = 1 ghz
P
PC8152TA ; p
o (1 db)
=
ð
4.5 dbm 典型值 @ f = 1 ghz
• 电源 增益 变化 :
P
pc8128ta, 8151ta ; g
P
= 12.5 db 典型值 @ f = 1 ghz
P
PC8152TA ; g
P
= 23.0 db 典型值 @ f = 1 ghz
• 运行 频率 : 100 至 1 900 mhz (输出 端口 lc 相一致)
• 极好的 分开 :
P
PC8128TA ; isl = 39 db 典型值 @ f = 1 ghz
:
P
PC8151TA ; isl = 38 db 典型值 @ f = 1 ghz
:
P
PC8152TA ; isl = 40 db 典型值 @ f = 1 ghz
应用
• 缓存区 放大器 在 800 至 1 900 mhz cellular / cordless telephones
: 点此下载
