关于我们
收藏本站
首页
|
最新需求
|
最新现货
|
IC库存
|
供应商
|
IC英文资料库
|
IC中文资料库
|
IC价格
|
电路图 |
应用资料
|
技术资料
IC型号:
您现在的位置:首页 > IC英文资料库
进入
手机版
资料编号:907964
资料名称:
2SD2700
文件大小: 89K
说明
:
介绍
:
Low frequency amplifier
: 点此下载
1
2
3
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SD2700
晶体管
rev.一个 1/2
低 频率 放大器
2SD2700
z
应用
低 频率 放大器
驱动器
z
特性
1) 一个 集电级 电流 是 大.
2) v
ce(sat)
≦
180mV
在 i
C
= 1a / i
B
= 50ma
z
外部 维度
(单位 : mm)
rohm : tumt3
(1) 根基
(2) 发射级
(3) 集电级
abbreviated 标识 : fw
0.3
0.77
0.17
0.15max.
2.0
1.3
0.65
0.65
(3)
(2)
(1)
1.7
0.20.2
2.1
0~0.1
0.85max.
z
绝对 最大 比率
(ta=25
°
c)
参数
标识
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
Tstg
限制
15
12
6
2
0.4
0.8
150
−
55 至
+
150
4
∗
1
∗
2
单位
V
V
V
一个
一个
W
°
C
°
C
集电级-根基 电压
集电级-发射级 电压
发射级-根基 电压
集电级 电流
电源 消耗
接合面 温度
范围 的 存储 温度
∗
1
单独的 脉冲波, p
W
=
1ms
∗
2
挂载 在 一个 25
×
25
×
0.8mm 陶瓷的 基质
t
z
电的 特性
(ta=25
°
c)
参数
标识
最小值
典型值
最大值
单位
情况
V
CB
=
10v, i
E
=
0a, f
=
1MHz
f
T
−
360
−
MHz
V
CE
=
2v, i
E
=−
200ma, f
=
100MHz
BV
CBO
15
−−
V
I
C
=
10
µ
一个
BV
CEO
12
−−
V
I
C
=
1mA
BV
EBO
6
−−
V
I
E
=
10
µ
一个
I
CBO
−−
100
nA
V
CB
=
15V
I
EBO
−−
100
nA
V
EB
=
6V
V
ce(sat)
−
90
180
mV
I
C
=
1a, i
B
=
50mA
h
FE
270
−
680
−
V
CE
=
2v, i
C
=
200mA
Cob
−
20
−
pF
∗
∗
集电级-根基 损坏 电压
集电级-发射级 损坏 电压
发射级-根基 损坏 电压
集电级 截止 电流
发射级 截止 电流
集电级-发射级 饱和 电压
直流 电流 增益
转变 频率
corrector 输出 电容
∗
搏动
z
包装 规格
2SD2700
TL
3000
类型
包装
代号
基本 订货 单位 (片)
Taping
资料评论区
:
点击
回复
标题
作者
最后回复时间
标 题:
内 容:
用户名:
手机号:
(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
关于我们
|
联系我们
电 话
:
13410210660
QQ :
84325569
联系方式:
E-mail:CaiZH01@163.com