V
CES
= 1200v
I
C
= 80a
T
C
= 25°c
•
ultrafast 非 punch 通过 (npt)
技术
• 积极的 v
ce(在)
温度 系数
• 10µs 短的 电路 能力
• HEXFRED
TM
antiparallel 二极管 和
ultrasoft 反转 恢复
• 低 二极管 v
F
• 正方形的 rbsoa
• 铝 渗氮 dbc
• optional smt thermistor (ntc)
• 非常 低 偏离 电感 设计 为
高 速 运作
• ul 批准 (文件 e78996)
特性
绝对 最大 比率
V
CES
集电级-至-发射级 损坏电压 1200 V
I
C
continuos 集电级 电流 @ t
C
= 25°c 80 一个
@ t
C
= 105°c 40
I
CM
搏动 集电级 电流 160
I
LM
clamped inductive 加载 电流 160
I
F
二极管 持续的 向前 电流 @ t
C
= 105°c 21
I
FM
二极管 最大 向前 电流 160
V
GE
门-至-发射级 电压 ±20 V
V
ISOL
rms 分开 电压, 任何 终端 至 情况, t =1 最小值 2500
P
D
最大 电源 消耗 (仅有的 igbt) @ t
C
= 25°c 463 W
@ t
C
= 100°c 185
参数 最大值 单位
•
优化 为 welding, ups 和 smps
产品
• 坚毅的 和 ultrafast 效能
• benchmark 效率 在之上 20khz
• 优秀的 zvs 和 hard 切换
运作
• 低 emi, 需要 较少 snubbing
• 极好的 电流 分享 在 并行的
运作
• 直接 挂载 至 散热器
• pcb solderable terminals
益处
M
MTP
40MT120UH
"half-桥" igbt mtp ultrafast npt igbt
i27126 rev. c 02/03
1www.irf.com
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