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bc 847pn
半导体 组
May-12-19981
npn/pnp 硅 af 晶体管 排列
•
为 af 输入 stages 和 驱动器 产品
•
高 电流 增益
•
低 集电级-发射级 饱和 电压
•
二 (galvanic) 内部的 分开的 npn/pnp
晶体管 在 一个 包装
录音带 加载 方向
管脚 配置
1 = e
2 = b
npn-晶体管
6 = c
pnp-晶体管
4 = e 5 = b 3 = c
类型 标记 包装订货 代号
q62702-c2374
sot-363
bc 847pn 1Ps
最大 比率
参数 值标识 单位
V集电级-发射级 电压
V
CEO
45
集电级-根基 电压 50
V
CBO
集电级-发射级 电压
V
CES
50
V
EBO
发射级-根基 电压 5
毫安直流 集电级 电流
I
C
100
200顶峰 集电级 电流
I
CM
总的 电源 消耗,
T
S
= 115 °c mW
P
tot
250
T
j
150接合面 温度 °C
-65...+150存储 温度
T
stg
热的 阻抗
接合面 包围的
1)
R
thJA
≤
275 k/w
接合面 - 焊接 要点
R
thJS
≤
140
1) 包装 挂载 在 pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 0.5cm
2
Cu

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bc 847pn 半导体组 May-12-19981 npn/pnp 硅 af 晶体管排列 • 为 af 输入 stages 和驱动器产品 • 高电流增益 • 低集电级-发射级饱和电压 • 二 (galvanic) 内部的分开的 npn/pnp 晶体管在一个包装录音带加载方向管脚配置 1 = e 2 = b npn-晶体管 6 = c pnp-晶体管 4 = e 5 = b 3 = c 类型标记包装订货代号 q62702-c2374 sot-363 bc 847pn 1Ps 最大比率参数值标识单位 V集电级-发射级电压 V CEO 45 集电级-根基电压 50 V CBO 集电级-发射级电压 V CES 50 V EBO 发射级-根基电压 5 毫安直流集电级电流 I C 100 200顶峰集电级电流 I CM 总的电源消耗, T S = 115 °c mW P tot 250 T j 150接合面温度 °C -65...+150存储温度 T stg 热的阻抗接合面包围的 1) R thJA ≤ 275 k/w 接合面 - 焊接要点 R thJS ≤ 140 1) 包装挂载在 pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 0.5cm 2 Cu

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