特性
TrenchFET
电源 场效应晶体管
应用
加载 转变
电池 转变
Si4451DY
vishay siliconix
新 产品
文档 号码:72115
s-03160—rev.一个, 17-二月-03
www.vishay.com
1
p-频道 12-v (d-s) 场效应晶体管
产品SUMMARY
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
0.00825 @ v
GS
=- 4.5 v
-14
-12
0.01025 @ v
GS
=- 2.5 v -13
0.013 @ v
GS
=- 1.8 v -12
SD
S
D
SD
G
D
所以-8
5
6
7
8
顶 视图
2
3
4
1
S
G
D
p-频道 场效应晶体管
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 10 secs 稳步的 状态 单位
流-源 电压 V
DS
-12
V
门-源 电压 V
GS
8
V
持续的 流 电流
(t
J
=150
c)
一个
T
一个
= 25
C
I
D
-14
-10
Continuous dra在Current
(t
J
=150
c)
一个
T
一个
= 70
C
I
D
-11 -8
一个
搏动 流 电流 I
DM
-40
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
-2.7 -1.35
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 25
C
P
D
3.0 1.5
W最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 70
C
P
D
1.9 0.95
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
- 55 至 150
C
热的阻抗比率
参数 标识 典型 最大 单位
Mi J 德州仪器 tAbit
一个
t
10 秒
R
33 42
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的 状态
R
thJA
70 85
c/w
最大 接合面-至-foot (流) 稳步的 状态 R
thJF
17 21
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x 1” fr4 板.