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7/25/01
IRFR15N20D
IRFU15N20D
smps 场效应晶体管
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
v
DSS
右
ds(开启)
最大值 我
d
200V 0.165
Ω
17A
参数 最大值 单位
我
d
@ t
c
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 17
我
d
@ t
c
= 100°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 12 一个
我
dm
脉冲 排水管 电流
68
p
d
@T
c
= 25°c 电源 耗散 140
p
d
@T
一个
= 25°c 电源 dissipation* 3.0 w
线性 降额 因素 0.96 w/°c
v
gs
栅极到源极电压 ± 30 v
设计验证/dt 峰值 二极管 回收 设计验证/dt
8.3 v/ns
t
j
操作 接合点 和 -55 至 + 175
t
stg
存储 温度 范围
焊接 温度, 用于 10 秒 300 (1.6mm 从 案例 )
°C
绝对 最大值 额定值
备注
通过
是 开启 第页 10
d-pak
IRFR15N20D
我-pak
IRFU15N20D
pd - 94245
高 频率 直流-直流 转换器
好处
应用程序
低 栅极至漏极 费用 至 减少
开关 损失
完全 表征 电容 包括
有效 c
开放源码软件
至 简化 设计, (请参见
应用程序. 备注 an1001)
完全 表征 雪崩 电压
和 电流
参数 典型值 最大值 单位
右
θ
jc
连接至壳体 ––– 1.04
右
θ
ja
交叉点到环境 (pcb 安装)* ––– 50 °c/w
右
θ
ja
交叉点到环境 ––– 110
热 电阻
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