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mos 地方 效应 晶体管
µ
µµ
µ
PA653TT
p-频道 mos 地方 效应 晶体管
为 切换
数据 薄板
文档 非. g16205ej1v0ds00 (1st 版本)
日期 发行 九月 2002 ns cp(k)
打印 在 日本
©
2002
描述
这
µ
pa653tt 是 一个 切换 设备, 这个 能 是 驱动 直接地 用 一个
4.0 v 电源 源.
这个 设备 特性 一个 低 在-状态 阻抗 和 极好的 切换
特性, 和 是 合适的 为 产品 此类 作 电源 转变 的
可携带的 机器 和 所以 在.
特性
•
4.0 v 驱动 有
•
低 在-状态 阻抗
R
ds(在)1
= 165 m
Ω
最大值 (v
GS
=
−
10 v, i
D
=
−
1.5 一个)
R
ds(在)2
= 267 m
Ω
最大值 (v
GS
=
−
4.5 v, i
D
=
−
1.5 一个)
R
ds(在)3
= 304 m
Ω
最大值 (v
GS
=
−
4.0 v, i
D
=
−
1.5 一个)
订货 信息
部分 号码 包装
µ
PA653TT 6pinwsof (1620)
标记: wg
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25°c)
流 至 源 电压 (v
GS
= 0 v) V
DSS
−
30 V
门 至 源 电压 (v
DS
= 0 v) V
GSS
m
20 V
流 电流 (直流) I
d(直流)
m
2.5 一个
流 电流 (脉冲波)
Note1
I
d(脉冲波)
m
10 一个
总的 电源 消耗 P
T1
0.2 W
总的 电源 消耗
Note2
P
T2
1.3 W
频道 温度 T
ch
150 °C
存储 温度 T
stg
−
55 至 +150 °C
注释 1.
PW
≤
10
µ
s, 职责 循环
≤
1%
2.
挂载 在 fr-4 板 的 5000 mm
2
x 1.1 mm, t
≤
5 秒.
Remark
这 二极管 连接 在 这 门 和 源 的 这 晶体管 serves 作 一个 protector 相反 静电释放. when 这个
设备 的确 使用, 一个 额外的 保护 电路 是 externally 必需的 如果 一个 电压 exceeding 这 评估 电压
将 是 应用 至 这个 设备.
包装 绘画 (单位: mm)
0.05
S
2.0±0.2
0.4±0.1
0.25±0.1
2.1±0.1
1.6
0.65 0.65
0
~
0.05
S
最大值 0.8
0.15
+0.1
−
0.05
0.2
+0.1
−
0.05
0.1
S
M
5
6
4
3
1
2
1,2,5,6 : 流
3 : 门
4 : 源
相等的 电路
源
身体
二极管
门
保护
二极管
门
流
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