1N5391–1N53991 的 3©2002W在-T运算Electronics
1n5391 – 1n5399
1.5a 硅 整流器
特性
!
diffused 接合面
!
低 向前 电压 漏出
!
高 电流 能力 一个 b 一个
!
高 可靠性
!
高 surge 电流 能力
机械的 数据
C
!
情况: 模塑的 塑料 d
!
terminals: 镀有 leads solderable 每
mil-标准-202, 方法 208
!
极性: cathode 带宽
!
重量: 0.40 grams (approx.)
!
挂载 位置: 任何
!
标记: 类型 号码
最大 比率 和 电的 特性
@T
一个
=25°c 除非 否则 指定
单独的 阶段, half 波, 60hz, resistive 或者 inductive 加载.
为 电容的 加载, 减额 电流 用 20%.
典型的 标识
1N
5391
1N
5392
1N
5393
1N
5395
1N
5397
1N
5398
1N
5399
单位
顶峰 repetitive 反转 电压
working 顶峰 反转 电压
直流 blocking 电压
V
RRM
V
RWM
V
R
50 100 200 400 600 800 1000 V
rms 反转 电压 V
r(rms)
35 70 140 280 420 560 700 V
平均 调整的 输出 电流
(便条 1) @t
一个
= 75°c
I
O
1.5 一个
非-repetitive 顶峰 向前 surge 电流
8.3ms 单独的 half sine-波 superimposed 在
评估 加载 (电子元件工业联合会 方法)
I
FSM
50 一个
向前 电压 @i
F
= 1.5a V
FM
1.0 V
顶峰 反转 电流 @t
一个
= 25°c
在 评估 直流 blocking 电压 @T
一个
= 100°c
I
RM
5.0
50
µA
典型 接合面 电容 (便条 2) C
j
30 pF
典型 热的 阻抗 接合面 至 包围的
(便条 1)
R
JA
50 k/w
运行 温度 范围 T
j
-65 至 +125 °C
存储 温度 范围 T
STG
-65 至 +150 °C
*glass 钝化的 形式 是 有 在之上 要求
便条: 1. leads maintained 在 包围的 温度 在 一个 距离 的 9.5mm 从 这 情况
2. 量过的 在 1.0 mhz 和 应用 反转 电压 的 4.0v d.c.
WTE
电源 半导体
做-15
Dim 最小值 最大值
一个
25.4 —
B
5.50 7.62
C
0.71 0.864
D
2.60 3.60
所有 维度 在 mm
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