半导体 组件 industries, llc, 2004
将, 2004 − rev. 1
1
发行 顺序 号码:
2n5401/d
2N5401
preferred 设备
放大器 晶体管
pnp 硅
特性
•
pb−free 包装 是 available*
最大 比率
比率 标识 2N5400 2N5401 单位
集电级 − 发射级 电压 V
CEO
120 150 Vdc
集电级 − 根基 电压 V
CBO
130 160 Vdc
发射级 − 根基 电压 V
EBO
5.0 Vdc
集电级 电流 − 持续的 I
C
600 mAdc
总的 设备 消耗
@ t
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
625
5.0
mW
mw/
°
C
总的 设备 消耗
@ t
C
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
1.5
12
Watts
mw/
°
C
运行 和 存储 接合面
温度 范围
T
J
, t
stg
−55 至 +150
°
C
最大 比率 是 那些 值 在之外 这个 设备 损坏 能 出现.
最大比率 应用 至 这 设备 是 单独的 压力 限制 值 (不 也不-
mal 运行 情况) 和 是 不 有效的 同时发生地. 如果 这些 限制 是 ex-
ceeded,设备 函数的 运作 是 不 暗指, 损坏 将 出现 和 reli-
能力将 是 affected.
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
热的 阻抗,
Junction−to−Ambient
R
JA
200
°
c/w
热的 阻抗,
Junction−to−Case
R
JC
83.3
°
c/w
2N54xx
Y = 年
WW = 工作 week
YWW
标记 图解
TO−92
情况 29
样式 1
1
2
3
Preferred
设备 是 推荐 choices 为 future 使用
和 最好的 整体的 值.
看 详细地 订货 和 shipping 信息 在 这 包装
维度 部分 在 页 2 的 这个 数据 薄板.
订货 信息
http://onsemi.com
*For额外的 信息 在 我们的 pb−free strategy
和 焊接 详细信息, 请 下载 这
在 半导体 焊接 和 挂载
技巧 涉及 手工的, solderrm/d.
集电级
3
2
根基
1
发射级
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