1
晶体管
2SB1209
硅 pnp triple diffusion planer 类型
为 低-频率 放大器
■
特性
●
高 集电级 至 根基 电压 v
CBO
.
●
高 集电级 至 发射级 电压 v
CEO
.
●
低 集电级 至 发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
.
■
绝对 最大 比率
(ta=25˚c)
单位: mm
参数
集电级 至 根基 电压
集电级 至 发射级 电压
发射级 至 根基 电压
顶峰 集电级 电流
集电级 电流
集电级 电源 消耗
接合面 温度
存储 温度
1:根基
2:集电级 eiaj:sc–71
3:发射级 m 类型 模型 包装
6.9
±
0.1
0.55
±
0.1 0.45
±
0.05
1.0
±
0.1
1.0
2.5
±
0.1
1.0
1.5
1.5 r0.9
r0.9
r0.7
0.4
0.85
3.5
±
0.1
2.0
±
0.2
2.4
±
0.21.25
±
0.05
4.1
±
0.2 4.5
±
0.1
2.5 2.5
123
标识
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
*
T
j
T
stg
比率
–400
–400
–5
–200
–100
1
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
毫安
毫安
W
˚C
˚C
■
电的 特性
(ta=25˚c)
参数
集电级 至 根基 电压
集电级 至 发射级 电压
发射级 至 根基 电压
向前 电流 转移 比率
集电级 至 发射级 饱和 电压
根基 至 发射级 饱和 电压
转变 频率
集电级 输出 电容
标识
V
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE
V
ce(sat)
V
是(sat)
f
T
C
ob
情况
I
C
= –100
µ
一个, i
E
= 0
I
C
= –500
µ
一个, i
B
= 0
I
E
= –100
µ
一个, i
C
= 0
V
CE
= –5v, i
C
= –30ma
I
C
= –10ma, i
B
= –1ma
I
C
= –50ma, i
B
= –5ma
V
CB
= –30v, i
E
= 20ma, f = 200mhz
V
CB
= –30v, i
E
= 0, f = 1mhz
最小值
–400
–400
–5
40
典型值
50
最大值
– 0.6
–1.5
9
单位
V
V
V
V
V
MHz
pF
*
打印 电路 板: 铜 foil 范围 的 1cm
2
或者 更多, 和 这 板
厚度 的 1.7mm 为 这 集电级 portion
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