2sk2020-01mr
n-频道 mos-场效应晶体管
fap-iia 序列
500V
3Ω
3,5a 30W
> 特性 > 外形 绘画
- 高 速 切换
- 低 在-阻抗
- 非 secondary 损坏
- 低 驱动 电源
- 高 电压
- V
GS
= ± 30v 保证
- avalanche proof
> 产品
- 切换 regulators
- UPS
- 直流-直流 转换器
- 一般 目的 电源 放大器
> 最大 比率 和 特性 > 相等的 电路
- 绝对 最大 比率 (t
C
=25°c),
除非 否则 指定
Item 标识 比率 单位
流-源-电压 V
DS
500 V
流-门-电压(r
GS
=20K
Ω
)
V
DGR
500 V
continous 流 电流 I
D
3,5 一个
搏动 流 电流 I
d(puls)
14 一个
门-源-电压 V
GS
±30 V
最大值 电源 消耗 P
D
30 W
运行 和 存储 温度 范围 T
ch
150 °C
T
stg
-55 ~ +150 °C
-
电的 特性 (t
C
=25°c),
除非 否则 指定
Item 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流-源 损坏-电压 V
(br)dss
I
D
=1mA V
GS
=0V
500 V
门 threshhold 电压 V
gs(th)
I
D
=1mA V
DS=
V
GS
2,5 3,0 3,5 V
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
=500V T
ch
=25°C
10 500 µA
V
GS
=0V T
ch
=125°C
0,2 1,0 毫安
门 源 泄漏 电流 I
GSS
V
GS
=±30V V
DS
=0V
10 100 nA
流 源 在-状态 阻抗 R
ds(在)
I
D
=1,5a V
GS
=10V
2 3
Ω
向前 跨导 g
fs
I
D
=1,5a V
DS
=25V
1,5 3 S
输入 电容 C
iss
V
DS
=25V
600 900 pF
输出 电容 C
oss
V
GS
=0V
50 75 pF
反转 转移 电容 C
rss
f=1MHz 10 15 pF
转变-在-时间 t
在
(t
在
=t
d(在)
+t
r
)
t
d(在)
V
CC
=300V
15 25 ns
t
r
I
D
=3,5a
10 15 ns
转变-止-时间 t
止
(t
在
=t
d(止)
+t
f
)
t
d(止)
V
GS
=10V
40 60 ns
t
f
R
GS
=10
Ω
15 25 ns
avalanche 能力 I
AV
l=100µh t
ch
=25°C
3,5 一个
continous 反转 流 电流 I
DR
3,5 一个
搏动 反转 流 电流 I
DRM
14 一个
二极管 向前 在-电压 V
SD
I
F
=2xI
DR
V
GS
=0v t
ch
=25°C
1,1 1,65 V
反转 恢复 时间 t
rr
I
F
=I
DR
V
GS
=0V
400 ns
反转 恢复 承担 Q
rr
-di
F
/dt=100a/µs t
ch
=25°C
1,5 µC
- 热的 特性
Item 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
热的 阻抗 R
th(ch-一个)
频道 至 空气 62,5 °c/w
R
th(ch-c)
频道 至 情况 4,17 °c/w
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