决赛
Publication#
11507
rev:
h
修正案/
0
问题 日期:
将 1998
Am27C020
2 兆位 (256 k x 8-有点) cmos 非易失存储器
与众不同 特性
■
快 访问权限 时间
— 速度 选项 作为 快 作为 55 ns
■
低 电源 消费
— 100 µa 最大值 cmos 备用 电流
■
电子元件工业联合会-已批准 引出线
— 插头 入点 升级 的 1 mbit 非易失存储器
— 容易 升级 从 28-管脚 电子元件工业联合会 eproms
■
单独 +5 v 电源 供应
■
±
10% 电源 供应 公差 标准
■
100% flashrite™ 编程
— 典型 编程 时间 的 32 秒
■
闩锁 保护 至 100 ma 从 –1 v 至
v
抄送
+ 1 v
■
高 噪声 免疫
■
紧凑型 32-管脚 倾角, pdip, 和 plcc 软件包
概述 描述
这 am27c020 是 一个 2 兆位, 紫外线 可擦除 专业版-
可重 只读 记忆. 它 是 有组织的 作为 256
kwords 由 8 比特 按 字, 操作 从 一个 单独 +5 v
供应, 有 一个 静态 备用 模式, 和 特点 快
单独 地址 位置 编程. 产品 是
可用 入点 窗口化 陶瓷 倾角 软件包, 作为 井
作为 塑料 一个 时间 可编程 (otp) pdip 和
plcc 软件包.
数据 可以 是 通常 已访问 入点 较少 比 55 ns, 铝-
降低 高性能 微处理器 至 操作
无 任何 等待 国家. 这 设备 优惠 分开
输出 启用 (oe#) 和 芯片 启用 (ce#) 控件,
因此 消除 总线 争用 入点 一个 多个 总线 微型-
处理器 系统.
amd’s cmos 流程 技术 提供 高
速度, 低 电源, 和 高 噪声 免疫. 典型
电源 消费 是 仅 100 mw 入点 活动 模式,
和 100 µw 入点 备用 模式.
全部 信号 是 ttl 级别, 包括 编程 信号-
nals. 有点 位置 将 是 编程 单独, 入点
块, 或 在 随机. 这 设备 支架 amd’s
flashrite 编程 算法 (100 µs 脉冲), re-
sulting 入点 一个 典型 编程 时间 的 32 秒.
块 图表
11507h-1
A0–A17
地址
输入
PGM#
CE#
OE#
v
抄送
v
ss
v
pp
数据 产出
DQ0–DQ7
输出
缓冲区
y
浇口
2,097,152
有点 细胞
矩阵
x
解码器
y
解码器
输出 启用
芯片 启用
和
prog 逻辑
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