bc847b / bc847c
晶体管
1/1
npn 一般 目的 晶体管
bc847b / bc847c
!
!!
!
特性
1) bv
CEO
<
45v (i
C
=
1ma)
2) complements 这 bc857b.
!
!!
!
包装, 标记, 和 包装 规格
BC847C
SST3
G1G
T116
3000
BC847B
SST3
G1F
T116
3000
部分 非.
包装 类型
标记
代号
基本 订货 单位 (片)
!
!!
!
外部 维度
(单位 : mm)
rohm : sst3 (1) 发射级
(2) 根基
(3) 集电级
0~0.1
0.2min.
2.4
±
0.2
1.3
0.95
0.45
±
0.1
0.15
0.4
2.9
±
0.2
1.9
±
0.2
0.95
0.95
+
0.2
−
0.1
−
0.1
+
0.2
+
0.1
−
0.06
+
0.1
−
0.05
(2)
(1)
(3)
所有 terminals 有 这 一样 维度
!
!!
!
绝对 最大 比率
(ta=25
°
c)
参数 标识
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Tj
Tstg
限制
50
45
6
0.1
0.35
150
−
55~
+
150
单位
V
V
V
一个
∗
P
C
0.2
W
°
C
°
C
集电级-根基 电压
集电级-发射级 电压
发射级-根基 电压
集电级 电流
接合面 温度
存储 温度
集电级 电源 消耗
∗
当 挂载 在 一个 7
×
5
×
0.6mm 陶瓷的 板.
!
!!
!
电的 特性
(ta=25
°
c)
参数
最小值 典型值 最大值
单位 情况
50
45
6
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
15
5
V
V
V
µ
一个
nA
I
C
=
50
µ
一个
I
C
=
1mA
I
E
=
50
µ
一个
V
CB
=
30V
V
CB
=
30v, ta
=
150
°
C
−
0.58
−
0.77
V
−−
0.6
I
C
/i
B
=
100ma/5ma
−−
0.25
V
I
C
/i
B
=
10ma/0.5ma
V
CE
/i
C
=
5v/10ma
V
CE
/i
C
=
5v/2ma bc847b
200 450
−
−
V
CE
/i
C
=
5v/2ma bc847c
420 800
−
−
−
200
3
−
−
MHz
pF
V
CE
=
5v, i
E
=−
20ma, f
=
100MHz
V
CB
=−
10v, i
E
=
0, f
=
1MHz
标识
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
V
是(在)
V
ce(sat)
h
FE
f
T
Cob
Cib
−
8
−
pF V
EB
=
0.5v, i
C
=
0, f
=
1MHz
集电级-根基 损坏 电压
集电级-发射级 损坏 电压
发射级-根基 损坏 电压
集电级 截止 电流
根基-发射级 饱和 电压
集电级-发射级 饱和 电压
直流 电流 转移 比率
转变 频率
集电级 输出 电容
发射级 输入 电容
!
!!
!
电的 典型的 曲线
这 电的 典型的 曲线 为 这些 产品 是 这 一样 作 那些 的 umt222a, sst222a, mmst2222a 和
pn2222a.
: 点此下载
