BZX84C5V6W_集成电路资料查询网

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表面 挂载 硅 齐纳 二极管
电压
2.4 - 39 伏特
200  mwatts
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• planar 消逝 构建
• 200mw 电源 消耗
• 齐纳 电压 从 2.4v - 39v
• ideally suited 为 automated 组装 处理
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情况: sot-323, 塑料
terminals: solderable 每 mil-标准-202, 方法 208
approx. 重量: 0.008 gram
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包装 sot-323
电源
注释:
一个. 挂载 在 5.0mm2(.013mm 厚) 地带 areas.
b. 量过的 在 8.3ms, 单独的 half sine-波 或者 相等的 正方形的 波, 职责 循环 = 4 脉冲 每 分钟 maximum.
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部分号码: bzx84c2v4w thru bzx84c39w 页 1  表面挂载硅齐纳二极管电压 2.4 - 39 伏特 200 mwatts  • planar 消逝构建 • 200mw 电源消耗 • 齐纳电压从 2.4v - 39v • ideally suited 为 automated 组装处理  情况: sot-323, 塑料 terminals: solderable 每 mil-标准-202, 方法 208 approx. 重量: 0.008 gram  包装 sot-323 电源注释: 一个. 挂载在 5.0mm2(.013mm 厚) 地带 areas. b. 量过的在 8.3ms, 单独的 half sine-波或者相等的正方形的波, 职责循环 = 4 脉冲每分钟 maximum. retemaraP lobmyS eulaV stinU 52ta)aseton(noitapissidrewop O C P D 002 Wm flahelgnissm3.8,tnerrucegrusdrawrofkaep )bseton()dohtemcedej(daoldetarnodesopmirepusevaw-enis I FSM 0.2spmA egnaRerutarepmeTegarotSdnanoitcnuJgnitarepO T J 051+ot55- O C 单独的

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