CD4049BCJ_集成电路资料查询网

TLF5971
CD4049UBMCD4049UBC 十六进制 反相的 缓存区
CD4050BMCD4050BC 十六进制 非-反相的 缓存区
March 1988
CD4049UBMCD4049UBC 十六进制 反相的 缓存区
CD4050BMCD4050BC 十六进制 非-反相的 缓存区
一般 描述
这些 十六进制 缓存区 是 大而单一的 complementary MOS
(cmos) 整体的 电路 构成 和 n- 和 p-chan-
nel 增强 模式 transistors 这些 设备 特性
逻辑 水平的 转换 使用 仅有的 一个 供应 电压 (v
DD
)
这 输入 信号 高 水平的 (v
IH
) 能 超过 这 V
DD
供应
电压 当 这些 设备 是 使用 为 逻辑 水平的 变换器-
sions 这些 设备 是 将 为 使用 作 十六进制 buffers
CMOS 至 DTLTTL converters 或者 作 CMOS 电流 drivers
和 在 V
DD
e
50V 它们 能 驱动 直接地 二 DTLTTL
负载 在 这 全部 运行 温度 range
特性
Y
宽 供应 电压 范围 30V 至 15V
Y
直接 驱动 至 2 TTL 负载 在 50V 在 全部 tempera-
ture 范围
Y
高 源 和 下沉 电流 能力
Y
特定的 输入 保护 准许 输入 电压 更好
比 V
DD
产品
Y
CMOS 十六进制 inverterbuffer
Y
CMOS 至 DTLTTL 十六进制 转换器
Y
CMOS 电流 ‘‘sink’’ 或者 ‘‘source’’ 驱动器
Y
CMOS 高-至-低 逻辑 水平的 转换器
连接 图解
CD4049UBMCD4049UBC
双-在-线条 包装
TLF5971–1
顶 视图
顺序 号码 CD4049UB 或者 CD4049B
CD4050BMCD4050BC
双-在-线条 包装
TLF5971–2
顶 视图
顺序 号码 CD4050UB 或者 CD4050B
C
1995 国家的 半导体 公司 rrd-b30m105printed 在 U S A

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TLF5971 CD4049UBMCD4049UBC 十六进制反相的缓存区 CD4050BMCD4050BC 十六进制非-反相的缓存区 March 1988 CD4049UBMCD4049UBC 十六进制反相的缓存区 CD4050BMCD4050BC 十六进制非-反相的缓存区一般描述这些十六进制缓存区是大而单一的 complementary MOS (cmos) 整体的电路构成和 n- 和 p-chan- nel 增强模式 transistors 这些设备特性逻辑水平的转换使用仅有的一个供应电压 (v DD ) 这输入信号高水平的 (v IH ) 能超过这 V DD 供应电压当这些设备是使用为逻辑水平的变换器- sions 这些设备是将为使用作十六进制 buffers CMOS 至 DTLTTL converters 或者作 CMOS 电流 drivers 和在 V DD e 50V 它们能驱动直接地二 DTLTTL 负载在这全部运行温度 range 特性 Y 宽供应电压范围 30V 至 15V Y 直接驱动至 2 TTL 负载在 50V 在全部 tempera- ture 范围 Y 高源和下沉电流能力 Y 特定的输入保护准许输入电压更好比 V DD 产品 Y CMOS 十六进制 inverterbuffer Y CMOS 至 DTLTTL 十六进制转换器 Y CMOS 电流 ‘‘sink’’ 或者 ‘‘source’’ 驱动器 Y CMOS 高-至-低逻辑水平的转换器连接图解 CD4049UBMCD4049UBC 双-在-线条包装 TLF5971–1 顶视图顺序号码 CD4049UB 或者 CD4049B CD4050BMCD4050BC 双-在-线条包装 TLF5971–2 顶视图顺序号码 CD4050UB 或者 CD4050B C 1995 国家的半导体公司 rrd-b30m105printed 在 U S A

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