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资料编号:976046
 
资料名称:CSC4115
 
文件大小: 59K
   
说明
 
介绍:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
 
 


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continental 设备 印度 限制
一个 是/iso 9002 和 iecq certified 生产者
npn 外延的 planar 硅 晶体管 CSC4115
(9aw)
至-92
BCE
标记 : csc
4115
BC
绝对 最大 比率(ta=25deg c 除非 否则 指定)
描述 标识 单位
集电级 -根基 电压
BVCBO 40 V
集电级 发射级 电压
BVCEO 20 V
发射级 根基 电压
BVEBO 6.0 V
集电级 电流
IC 2.0 一个
集电级 电流 顶峰
ICP* 5.0 一个
集电级 电源 消耗
PC 0.4 W
运行 和 存储 接合面
tj, tstg -55 至 +150 deg c
温度 范围
*single 脉冲波 pw=10ms
电的 特性 (ta=25 deg c 除非 否则 指定)
描述 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 -根基 电压
BVCBO ic=50ua, ie=0 40 - - V
集电级 发射级 电压
BVCEO ic=1ma, ib=0 20 - - V
发射级 根基 电压
BVEBO ie=50ua, ic=0 6.0 - - V
集电级 截 止 电流
ICBO vcb=30v, ie=0 - - 0.1 uA
ICEO vce=20v, ib=0 - - 1.0 uA
发射级 截 止 电流
IEBO veb=5v, ic=0 - - 0.1 uA
直流 电流 增益
hFE vce=2v, ic=0.1a 120 - 560
集电级 发射级 饱和 电压
vce(sat) ic=2a, ib=0.1a - - 1.0 V
动态 特性
转变 频率
ft vce=2v, ic=0.5a, - 150 - MHz
f=100MHz
集电级 输出 电容
Cob vcb=10v, ie=0 - 25 - pF
f=1MHz
hfe 分类 一个 120-270; b 180-390; c 270-560; "为 bc" 180- 560
是/iso 9002
lic# qsc/l- 000019.2
continental 设备 印度 限制
数据 薄板
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