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特性
5 年 最小 数据 保持 在 这
absence 的 外部 电源
数据 是 automatically 保护 在 电源
丧失
unlimited 写 循环
低-电源 cmos 运作
读 和 写 进入 时间 作 快 作 70 ns
lithium 活力 源 是 用电气
disconnected 至 retain freshness 直到 电源 是
应用 为 这 第一 时间
全部
±
10% v
CC
运行 范围 (ds1270y)
Optional
±
5% v
CC
运行 范围
(ds1270ab)
optional 工业的 温度 范围 的
-40
°
c 至 +85
°
c, designated ind
管脚 分派
管脚 描述
a0 – a20 - 地址 输入
dq0 - dq7 - 数据 在/数据 输出
CE - 碎片 使能
我们 - 写 使能
OE - 输出 使能
V
CC
- 电源 (+5v)
地 - 地面
nc - 非 连接
描述
这 ds1270 16m nonvolatile srams 是 16,777,216-位, 全部地 静态的 nonvolatile srams 有组织的 作
2,097,152 words 用 8 位. 各自 nv sram 有 一个 自-包含 lithium 活力 源 和 控制
电路系统 这个 constantly monitors v
CC
为 一个 输出-的-容忍 情况. 当 此类 一个 情况 occurs,
这 lithium 活力 源 是 automatically 切换 在 和 写 保护 是 unconditionally 使能 至
阻止 数据 corruption. 那里 是 非 限制 在 这 号码 的 写 循环 这个 能 是 executed 和 非
额外的 支持 电路系统 是 必需的 为 微处理器 接合.
ds1270y/ab
16m nonvolatile sram
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36-管脚 encapsulated 包装
740-mil 扩展
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A6
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A4
A3
A2
A0
A1
V
CC
一个19
NC
一个15
A17
我们
一个13
A8
A9
A11
OE
一个10
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A16
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NC
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地
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