january 2003
2003 仙童 半导体 公司
fds6900s rev c(w)
FDS6900S
双 n
-
ch powertrench
SyncFet
™
一般 描述
这 fds6900s 是 设计 至 替代 二 单独的 所以-8
mosfets 和 肖特基 二极管 在 同步的 直流:直流
电源 供应 那 提供 各种各样的 附带的 电压
为 notebook 计算机 和 其它 电池 powered
电子的 设备. fds6900s 包含 二 唯一的
30v, n-频道, 逻辑 水平的, powertrench mosfets
设计 至 maximize 电源 转换 效率.
这 高-一侧 转变 (q1) 是 设计 和 明确的
emphasis 在 减少 切换 losses 当 这 低-
一侧 转变 (q2) 是 优化 至 减少 传导
losses. q2 也 包含 一个 整体的 肖特基 二极管
使用 仙童’s 大而单一的 syncfet 技术.
特性
•
Q2
: 优化 至 降低 传导 losses
包含 syncfet 肖特基 身体 二极管
8.2a, 30v R
ds(在)
= 22m
Ω
@ v
GS
= 10v
R
ds(在)
= 29m
Ω
@ v
GS
= 4.5v
•
Q1
: 优化 为 低 切换 losses
低 门 承担 ( 8 nc 典型)
6.9a, 30v R
ds(在)
= 30m
Ω
@ v
GS
= 10v
R
ds(在)
= 37m
Ω
@ v
GS
= 4.5v
81
72
63
54
双 n-频道 syncfet
Q1
Q2
绝对 最大 比率
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 Q2
q1 单位
V
DSS
流-源 电压 30 30 V
V
GSS
门-源 电压
±
20
±
20
V
I
D
流 电流 - 持续的
(便条 1a)
8.2 6.9 一个
- 搏动 30 20
P
D
电源 消耗 为 双 运作 2 W
电源 消耗 为 单独的 运作
(便条 1a)
1.6
(便条 1b)
1
(便条 1c)
0.9
T
J
, t
STG
运行 和 存储 接合面 温度 范围 –55 至 +150
°
C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
(便条 1a)
78
°
c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况
(便条 1)
40
°
c/w
包装 标记 和 订货 信息
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
fds6900s fds6900s 13” 12mm 2500 单位
S
D
S
S
所以-
D
D
D
G
G1
S1D2
S1D2
S1D2
D1
D1
G2
S2
管脚 1
所以-8
FDS6900S
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