IRFR3411PbF
IRFU3411PbF
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
参数 典型值 最大值 单位
右
θ
jc
连接至壳体 ––– 1.2
右
θ
ja
交叉点到环境 (pcb 安装)* ––– 50 °c/w
右
θ
ja
交叉点到环境 ––– 110
热 电阻
www.irf.com 1
v
DSS
= 100v
右
ds(开启)
= 44m
Ω
我
d
= 32a
s
d
g
高级 hexfet
®
电源 mosfets 从 国际
整流器 利用 高级 加工 技术 至
实现 极其 低 导通电阻 按 硅 面积.
这个 效益, 合并 与 这 快 开关 速度 和
加固 设备 设计 那 hexfet 电源 mosfets
是 井 已知 用于, 提供 这 设计师 与 一个
极其 高效 和 可靠 设备 用于 使用 入点 一个 宽
品种 的 应用程序.
这 d-pak 是 设计 用于 表面 安装 使用 蒸气
相位, 红外线, 或 波浪 焊接 技术. 这
直线 铅, 我-pak, 版本 (irfu 系列) 是 用于 through-
孔 安装 应用程序. 电源 耗散 级别 向上
至 1.5 瓦特 是 可能 入点 典型 表面 安装
应用程序.
高级 流程 技术
超 低 导通电阻
动态 设计验证/dt 评级
175°c 操作 温度
快 开关
完全 雪崩 额定
无铅
描述
绝对 最大值 额定值
参数 最大值 单位
我
d
@ t
c
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 32
我
d
@ t
c
= 100°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 23 一个
我
dm
脉冲 排水管 电流
110
p
d
@T
c
= 25°c 电源 耗散 130 w
线性 降额 因素 0.83 w/°c
v
gs
栅极到源极电压 ± 20 v
我
ar
雪崩 电流
16 一个
e?
ar
重复性 雪崩 能源
13 mJ
设计验证/dt 峰值二极管 回收 设计验证/dt
7.0 v/ns
t
j
操作 接合点 和 -55 至 + 175
t
stg
存储 温度 范围
焊接 温度, 用于 10 秒 300 (1.6mm 从 案例 )
°C
pd - 95371a
d-pak
IRFR3411
我-pak
IRFU3411
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