IRF7307
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
pd - 9.1242b
8/25/97
一代 v 技术
过激 低 在-阻抗
双 n 和 p 频道 场效应晶体管
表面 挂载
有 在 录音带 &放大; 卷轴
动态 dv/dt 比率
快 切换
fifth 一代 hexfets 从 国际的 整流器
utilize 先进的 处理 技巧 至 达到 这
最低 可能 在-阻抗 每 硅 范围. 这个
益处, 联合的 和 这 快 切换 速 和
加固 设备 设计 那 hexfet 电源
mosfets 是 好 知道 为, 提供 这 设计者
和 一个 极其 效率高的 设备 为 使用 在 一个 宽
多样性 的 产品.
这 所以-8 有 被 修改 通过 一个 customized
引线框架 为 增强 热的 特性 和
多样的-消逝 能力 制造 它 完美的 在 一个 多样性 的
电源 产品. 和 这些 改进, 多样的
设备 能 是 使用 在 一个 应用 和 dramatically
减少 板 空间. 这 包装 是 设计 为
vapor 阶段, infra red, 或者 波 焊接 技巧.
电源 消耗 的 更好 比 0.8w 是 可能 在
一个 典型 pcb 挂载 应用.
D1
N -c HAN nel m O SF ET
p-ch annel 场效应晶体管
D1
D2
D2
G1
S2
G2
S1
顶 视图
81
2
3
4
5
6
7
所以-8
描述
n-ch p-ch
V
DSS
20V -20v
R
ds(在)
0.050
Ω
0.090
Ω
最大值
n-频道 p-频道
I
D
@ t
一个
= 25°c 10 秒. 脉冲波 流 电流, v
GS
@ 4.5v 5.7 -4.7
I
D
@ t
一个
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 4.5v 5.2 -4.3
I
D
@ t
一个
= 70°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 4.5v 4.1 -3.4
I
DM
搏动 流 电流
21 -17
P
D
@T
一个
= 25°c 电源 消耗 2.0 W
直线的 减额 因素 0.016 w/°c
V
GS
门-至-源 电压 ± 12 V
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
5.0 -5.0 v/ns
T
j,
T
STG
接合面 和 存储 温度 范围 -55 至 + 150 °C
参数 单位
一个
绝对 最大 比率
热的 阻抗 比率
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JA
最大 接合面-至-包围的
––– 62.5
°c/w
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