设计 信息
(持续)
p-频道 场效应晶体管 选择 (q1)
这 重要的 参数 为 这 PFET 是 这 最大
流-源 电压 (v
DS
), 这 在 阻抗 (r
DSON
), cur-
rent 比率, 和 这 输入 电容.
这 电压 横过 这 PFET 当 它 是 转变 止 是 equal 至
这 总 的 这 输入 电压 和 这 二极管 向前 电压.
这 V
DS
必须 是 选择 至 提供 一些 余裕 在之外
这 输入 电压. PGATE swings 这 PFET’s 门 从 V
在
至 V
在
− 5V 当 这 输入 电压 是 更好 比 7v. 在 较少
比 7V 输入, 这 PGATE 电压 摆动 是 小. 在 4.5v
输入 这 PGATE swings 从 V
在
至 V
在
− 3.3v. 至 insure
那 这 PFET 转变 在 完全地, 一个 低 门槛 PFET
应当 是 使用 当 这 输入 电压 是 较少 比 7v.
R
DSON
和 包装 大小 必须 是 使用 至 决定 这
适合的 场效应晶体管 为 一个 给 电流 作 好 作 顶峰 电流
能力. 切换 losses 也 必须 是 考虑.
这 第一 顺序 losses 在 这 场效应晶体管 是 大概:
PDswitch = R
DSON
*
I
输出
2
*
D+F
*
I
输出
*
V
在
*
(t
在
+t
止
)/2
在哪里:
t
在
= 场效应晶体管 转变 在 时间
t
止
= 场效应晶体管 转变 止 时间
一个 值 的 10ns 至 20ns 是 典型 为 ton 和 toff.
这 R
DSON
是 使用 在 determining 这 电流 限制 电阻
值, R
ADJ
. 便条 那 这 R
DSON
有 一个 积极的 温度
系数. 在 100˚c, 这 R
DSON
将 是 作 更 作 150%
高等级的 比 这 25˚C 值. 这个 增加 在 R
DSON
必须 是
考虑 它 当 determining R
ADJ
在 宽 温度
范围 产品. 如果 这 电流 限制 是 设置 为基础 在之上 25˚C
比率, 然后 false 电流 限制的 能 出现 在 高 tempera-
ture.
Keeping 这 门 电容 在下 2000pF 是 recom-
mended 至 保持 切换 losses 和 转变 时间 低.
作 门 电容 增加, 运行 频率 应当
是 减少 和 作 门 电容 减少 运行
频率 能 是 增加.
PCB 布局
这 PC 板 布局 是 非常 重要的 在 所有 切换 regu-
lator 设计. Poor 布局 能 导致 切换 噪音 在 这
反馈 信号 和 一般 EMI 问题. 为 minimal
电感, 这 线 表明 用 重的 线条 应当 是 作
宽 和 短的 作 可能. 保持 这 地面 管脚 的 这 输入
电容 作 关闭 作 可能 至 这 anode 的 这 二极管. 这个
path carries 一个 大 交流 电流. 这 切换 node, 这
node 和 这 二极管 cathode, inductor, 和 场效应晶体管 流, 应当
是 保持 短的. 这个 node 是 一个 的 这 主要的 来源 为
radiated EMI 自从 它 是 一个 交流 电压 在 这 切换
频率. 它 是 总是 好的 实践 至 使用 一个 地面 平面 在
这 设计, 特别 在 高 电流. 这 门 管脚 的 这
外部 PFET 应当 是 located 关闭 至 这 PGATE 管脚.
不管怎样, 如果 一个 非常 小 场效应晶体管 是 使用, 一个 电阻 将 是
必需的 在 PGATE 和 这 门 的 这 场效应晶体管 至 减少
高 频率 ringing.
这 反馈 电压 信号 线条 能 是 敏感的 至 噪音.
制造 确信 至 避免 inductive 连接 至 这 inductor 或者 这
切换 node.
20034628
图示 6. 典型 PCB 布局 图式 (3.3v 输出)
LM3485
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