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LT1510/LT1510-5
APPLICATIONs iN为MATION
WUU
U
板 范围 (在
2
)
0
90
80
70
60
50
40
30
20
15 25
1510 f09
510
20 30 35
含铅的 温度 (
°
c)
I
CHRG
= 1.3a
V
在
= 16v
V
BAT
= 8.4v
V
BOOST
= v
BAT
T
一个
= 25
°
C
便条: 顶峰 消逝 温度 将 be
关于 10
°
c 高等级的 比 含铅的 temper-
ature 在 1.3a charging 电流
2-layer 板
4-layer 板
事件 的 一个 输入 短的. 这 身体 二极管 的 q2 creates 这
需要 pumping action 至 保持 这 门 的 q1 低
在 正常的 运作 (看 图示 11).
图示 12. 高 速 切换 path
1510 f12
V
BAT
L1
V
在
HIGH
FREQUENCY
CIRCULATING
PATH
BAT
转变 node
C
在
C
输出
图示 10. lt1510 含铅的 温度
低 热的 阻抗 系统 和 至 act 作 一个 地面
平面 为 减少 emi.
高等级的 职责 循环 为 这 lt1510 电池 charger
最大 职责 循环 为 这 lt1510 是 典型地 90% 但是
这个 将 是 too 低 为 一些 产品. 为 例子, 如果
一个 18v
±
3% adapter 是 使用 至 承担 ten nimh cells, 这
charger 必须 放 输出 15v 最大. 一个 总的 的 1.6v 是 lost
在 这 输入 二极管, 转变 阻抗, inductor 阻抗
和 parasitics 所以 这 必需的 职责 循环 是 15/16.4 =
91.4%. 作 它 转变 输出, 职责 循环 能 是 扩展 至 93%
用 restricting boost 电压 至 5v instead 的 使用 v
BAT
作
是 正常情况下 完毕. 这个 更小的 boost 电压 v
X
(看 图示
8) 也 减少 电源 消耗 在 这 lt1510, 所以 它 是 一个
win-win decision.
甚至 更小的 落后
为 甚至 更小的 落后 和/或者 减少 热温 在 这 板,
这 输入 二极管 d3 (计算数量 2 和 6) 应当 是 replaced
和 一个 场效应晶体管. 它 是 pretty straightforward 至 连接 一个
p-频道 场效应晶体管 横过 这 输入 二极管 和 连接 它的 门
至 这 电池 所以 那 这 场效应晶体管 commutates 止 当 这
输入 变得 低. 这 问题 是 那 这 门 必须 是
pumped 低 所以 那 这 场效应晶体管 是 全部地 转变 在 甚至 当
这 输入 是 仅有的 一个 volt 或者 二 在之上 这 电池 电压.
也 那里 是 一个 转变 止 速 公布. 这 场效应晶体管 应当 转变 止
instantly 当 这 输入 是 dead 短接 至 避免 大
电流 surges 表格 这 电池 后面的 通过 这 charger
在 这 场效应晶体管. 门 电容 slows 转变 止, 所以 一个 小
p-场效应晶体管 (q2) discharges 这 门 电容 quickly 在 这
图示 11. replacing 这 输入 二极管
V
X
3v 至 6v
高 职责 cycle
连接
V
在
1510 f10
C3
L1
D2
D1
Q2
Q1
R
X
50k
q1: si4435dy
q2: tp0610l
C
X
10
µ
F
V
BAT
BOOST
SW
SENSE
V
CC
LT1510
BAT
+
+
布局 仔细考虑
转变 上升 和 下降 时间 是 下面 10ns 为 最大
效率. 至 阻止 辐射, 这 catch 二极管, sw 管脚
和 输入 绕过 电容 leads 应当 是 保持 作 短的
作 可能. 一个 地面 平面 应当 是 使用 下面 这
切换 电路系统 至 阻止 interplane 连接 和 至
act 作 一个 热的 spreading path. 所有 地面 管脚 应当 是
连接 至 expand 查出 为 低 热的 阻抗.
这 快-切换 高 电流 地面 path 包含 这
转变, catch 二极管 和 输入 电容 应当 是 保持
非常 短的. catch 二极管 和 输入 电容 应当 是
关闭 至 这 碎片 和 terminated 至 这 一样 要点. 这个
path 包含 nanosecond 上升 和 下降 时间 和 一些
放大器 的 电流. 这 其它 paths 包含 仅有的 直流 和 /或者
200khz triwave 和 是 较少 核心的. 图示 13 显示
核心的 path 布局. 图示 12 indicates 这 高 速,
高 电流 切换 path.
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