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LTC126 6
LTC126 6 - 3.3/LTC1266 - 5
applicatio s i 为 atio
WUU U
驱动 n-频道 topside mosfets
驱动 一个 n-频道 topside 场效应晶体管 (pinv, 管脚 3, 系 至
pwr v
在
) 是 一个 little trickier 比 驱动 一个 p-频道 自从
这 门 电压 必须 是 积极的 和 遵守 至 这
源 至 转变 它 在, 这个 意思 那 这 门 电压
必须 是 高等级的 比 v
在
. 这个 需要 也 一个 第二
供应 在 least v
gs(在)
在之上 v
在
或者 一个 bootstrapping 电路
至 boost 这 v
在
至 这 恰当的 水平的. 这 easiest 方法 是
使用 一个 高等级的 供应 (看 图示 14) 但是 如果 一个 是 不
有, 这 自举 方法 能 是 使用 在 这 ex-
pense 的 一个 额外的 二极管 (看 图示 1). 这 自举
工作 用 charging 这 自举 电容 至 v
在
在
这 止-时间. 在 这 在-时间, 这 bottom 加设护板 的 这
电容 是 牵引的 向上 至 v
在
所以 那 这 电压 在 管脚 2 是
now 两次 v
在
(加 任何 ringing 在 这 转变 node).
自从 这 最大 容许的 电压 在 管脚 2 是 20v, 这
图示 1 自举 电路 限制 v
在
至 较少 比 10v. 一个
高等级的 v
在
能 是 达到 如果 这 自举 电容 是
charged 至 一个 电压 较少 比 v
在
, 在 这个 情况
V
在(最大值)
= 20 – v
CAP
.
n-频道 模式, 内部的 电路系统 限制 这 最大
在-时间 至 60
µ
s 至 保证 开始-向上 的 这 自举
电路. 这个 最大 在-时间 减少 这 最大
职责 循环 至:
最大值 职责 循环 =
60
µ
s
60
µ
s + t
止
这个 slightly 增加 这 最小 输入 电压 在
这个 落后 occurs. 不管怎样, 因为 的 这 更好的
在-conductance 的 这 n-频道, 这 落后 perfor-
mance 的 一个 所有 n-频道 调整器 是 安静的 更好的 (看
图示 5) 甚至 和 这 职责 循环 限制, 除了 在 明亮的
负载.
低-电池 比较器
这 ltc1266 有 一个 在-碎片 低-电池 比较器
这个 能 是 使用 至 sense 一个 低-电池 情况 当
执行 作 显示 在 图示 6. 这 电阻 分隔物
r1, r2 sets 这 比较器 trip 要点 作 跟随:
V
TRIP
= 1.25
)
)
1 +
R2
R1
(v
在
– v
输出
) 电压 (v)
0
C
输出
(
µ
f)
600
800
1000
4
ltc1266 • f04
400
200
0
1
2
3
5
l = 50
µ
H
R
SENSE
= 0.02
Ω
l = 25
µ
H
R
SENSE
= 0.02
Ω
l = 50
µ
H
R
SENSE
= 0.05
Ω
图示 4. 最小 值 的 c
输出
序列 将 正常情况下 是 在 持续的 运作. 这
输出 仍然是 在 规章制度 在 所有 时间. 这个 最小
电容 必要条件 将 是 relaxed 如果 burst 模式
运作 是 无能.
n-频道 vs p-频道 mosfets
这 ltc1266 有 这 能力 至 驱动 也 一个
n-频道 或者 一个 p-频道 topside 转变 至 给 这 用户
更多 flexibility. n-频道 mosfets 是 更好的 在 每-
formance 至 p-频道 预定的 至 它们的 更小的 r
ds(在)
和
更小的 门 电容 和 是 典型地 较少 expensive;
不管怎样, 它们 做 有 一个 slightly 更多 complicated 门
驱动 必要条件 和 一个 更多 限制 输入 电压 范围
(看 下列的 sections).
驱动 p-频道 topside mosfets
这 p-频道 topside 转变 电路 配置 是 这
大多数 straightforward 预定的 至 这 必要条件 的 仅有的 一个
供应 电压 水平的. 这个 是 预定的 至 这 负的 门
门槛 的 这 p-频道 场效应晶体管 这个 准许 这
场效应晶体管 至 是 切换 在 和 止 用 swinging 这 门
在 v
在
和 地面. 这 阶段 invert (管脚 3) 是 系
至 地面 至 choose 这个 运行 模式. 正常情况下, 这
转换器 输入 (v
在
) 是 连接 至 这 ltc1266 供应
管脚 2 和 5 和 能 go 作 高 作 20v. 管脚 2 供应 这
高 频率 电流 脉冲 至 转变 这 mosfets 和
应当 是 decoupled 和 一个 0.1
µ
f 至 1
µ
f 陶瓷的 capaci-
tor. 管脚 5 供应 大多数 的 这 安静的 电源 至 这 rest
的 这 碎片.
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