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资料编号:1002998
 
资料名称:LTC3778EF
 
文件大小: 297K
   
说明
 
介绍:
Wide Operating Range, No RSENSE Step-Down Controller
 
 


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10
LTC3778
3778f
APPLICATIOs i 为 atio
WUUU
这 基本 ltc3778 应用 电路 是 显示 在
图示 1. 外部 组件 选择 是 primarily de-
termined 用 这 最大 加载 电流 和 begins 和
这 选择 的 这 sense 阻抗 和 电源 场效应晶体管
switches. 这 ltc3778 能 使用 也 一个 sense 电阻 或者
这 在-阻抗 的 这 同步的 电源 场效应晶体管 为
determining 这 inductor 电流. 这 desired 数量 的
波纹 电流 和 运行 频率 largely deter-
mines 这 inductor 值. 最终, c
是 选择 为 它的
能力 至 handle 这 大 rms 电流 在 这 转换器
和 c
输出
是 选择 和 低 足够的 等效串联电阻 至 满足 这
输出 电压 波纹 和 瞬时 规格.
最大 sense 电压 和 v
RNG
管脚
inductor 电流 是 决定 用 测量 这 电压
横过 一个 sense 阻抗 那 呈现 在 这 sense
和 sense
+
管脚. 这 最大 sense 电压 是 设置 用
这 电压 应用 至 这 v
RNG
管脚 和 是 equal 至
大概 (0.133)v
RNG
. 这 电流 模式 控制
循环 将 不 准许 这 inductor 电流 valleys 至 超过
(0.133)v
RNG
/r
SENSE
. 在 实践, 一个 应当 准许 一些
余裕 为 变化 在 这 ltc3778 和 外部 混合-
nent 值 和 一个 好的 手册 为 selecting 这 sense
阻抗 是:
R
V
I
SENSE
RNG
输出 最大值
=
10
()
一个 外部 resistive 分隔物 从 intv
CC
能 是 使用 至
设置 这 电压 的 这 v
RNG
管脚 在 0.5v 和 2v
结果 在 名义上的 sense 电压 的 50mv 至 200mv.
additionally, 这 v
RNG
管脚 能 是 系 至 sgnd 或者 intv
CC
在 这个 情况 这 名义上的 sense 电压 defaults 至 70mv
或者 140mv, 各自. 这 最大 允许 sense
电压 是 关于 1.33 时间 这个 名义上的 值.
连接 这 sense
+
和 sense
管脚
这 ltc3778 能 是 使用 和 或者 没有 一个 sense 电阻.
当 使用 一个 sense 电阻, 它 是 放置 在 这
源 的 这 bottom 场效应晶体管, m2, 和 pgnd. 连接
这 sense
+
和 sense
管脚 至 这 顶 和 bottom 的 这
sense 电阻. 使用 一个 sense 电阻 提供 一个 好
定义 电流 限制, 但是 adds 费用 和 减少 效率.
alternatively, 一个 能 eliminate 这 sense 电阻 和 使用
这 bottom 场效应晶体管 作 这 电流 sense 元素 用
simply 连接 这 sense
+
管脚 至 这 sw 管脚 和
SENSE
管脚 至 pgnd. 这个 改进 效率, 但是 一个
必须 carefully choose 这 场效应晶体管 在-阻抗 作 dis-
cussed 在下.
电源 场效应晶体管 选择
这 ltc3778 需要 二 外部 n-频道 电源
mosfets, 一个 为 这 顶 (主要的) 转变 和 一个 为 这
bottom (同步的) 转变. 重要的 参数 为
这 电源 mosfets 是 这 损坏 电压 v
(br)dss
,
门槛 电压 v
(gs)th
, 在-阻抗 r
ds(在)
, 反转
转移 电容 c
RSS
和 最大 电流 i
ds(最大值)
.
这 门 驱动 电压 是 设置 用 这 5v intv
CC
和 drv
CC
供应. consequently, 逻辑-水平的 门槛 mosfets
必须 是 使用 在 ltc3778 产品. 如果 这 输入 电压
或者 drv
CC
电压 是 预期的 至 漏出 在下 5v, 然后 sub-
逻辑 水平的 门槛 mosfets 应当 是 考虑.
当 这 bottom 场效应晶体管 是 使用 作 这 电流 sense
元素, particular 注意 必须 是 paid 至 它的 在-
阻抗. 场效应晶体管 在-阻抗 是 典型地 指定
和 一个 最大 值 r
ds(在)(最大值)
在 25
°
c. 在 这个 情况,
额外的 余裕 是 必需的 至 accommodate 这 上升 在
场效应晶体管 在-阻抗 和 温度:
R
R
DS 最大值
SENSE
T
()( )
=
ρ
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