21
LTC3778
3778f
图示 10. 1.25v/
±
6a 下沉 和 源 在 550khz
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
1
2
3
4
6
7
8
9
10
run/ss
V
在
PGOOD
V
RNG
I
TH
FCB
SGND
I
在
V
FB
EXTV
CC
BOOST
TG
SW
SENSE
+
SENSE
–
PGND
BG
DRV
CC
INTV
CC
V
在
LTC3778
+
M2
IRF7811
M1
IRF7811
l1, 1.8
µ
H
D1
B340A
C
out1-2
180
µ
F
4V
×
2
C
OUT3
22
µ
F
6.3v
X7R
C
在
10
µ
F
35V
×
3
V
在
5v 至 25v
V
输出
1.25v
±
6A
C
SS
0.1
µ
F
C
C1
1500pF
C
在
,
0.01
µ
F
C
C2
100pF
C
VCC
4.7
µ
F
C
F
0.1
µ
F
C
B
0.22
µ
F
R
C
20k
R1
12.7k
R
在
227k
R2
11.7k
R
F
1
Ω
D
B
cmdsh-3
3778 f11
C
在
: 联合的 chemicon thcr60eihi06zt
C
out1-2
: cornell dubilier esre181e04b
l1: sumida cep125-1r8mc-h
R
PG
100k
330
µ
F
25v,
SANYO
ELECTROLYTIC
+
R2
68
Ω
R1
1.2k
5
• segregate 这 信号 和 电源 grounds. 所有 小
信号 组件 应当 返回 至 这 sgnd 管脚 在
一个 要点 这个 是 然后 系 至 这 pgnd 管脚 关闭 至 这
源 的 m2.
• 放置 m2 作 关闭 至 这 控制 作 可能, keeping
这 pgnd, bg 和 sw 查出 短的.
• 连接 这 输入 电容(s) c
在
关闭 至 这 电源
mosfets. 这个 电容 carries 这 场效应晶体管 交流 cur-
rent.
• 保持 这 高 dv/dt sw, boost 和 tg nodes away
从 敏感的 小-信号 nodes.
• 连接 这 intv
CC
解耦 电容 c
VCC
closely
至 这 intv
CC
和 pgnd 管脚.
• 连接 这 顶 驱动器 boost 电容 c
B
closely 至 这
boost 和 sw 管脚.
• 连接 这 v
在
管脚 解耦 电容 c
F
closely 至
这 v
在
和 pgnd 管脚.
APPLICATIOs i 为 atio
WUUU
图示 10 显示 一个 ddr 记忆 末端 应用 在
这个 这 输出 能 下沉 和 源 向上 至 6a 的 电流.
这 resistive 分隔物 的 r1 和 r2 是 meant 至 introduce
典型 applicatio s
U
一个 补偿 至 这 sense
–
管脚 所以 那 这 电流 限制 是
对称的 在 两个都 下沉 和 源.
: 点此下载
