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LTC3780
3780f
APPLICATIOs i 为 atio
WUUU
(转变 b 和 c 显示 在 图示 1). 重要的 参数
为 这 电源 mosfets 是 这 损坏 电压 v
br,dss
,
门槛 电压 v
gs,th
, 在-阻抗 r
ds(在)
, 反转
转移 电容 c
RSS
和 最大 电流 i
ds(最大值)
.
这 驱动 电压 是 设置 用 这 6v intv
CC
供应. conse-
quently, 逻辑-水平的 门槛 mosfets 必须 是 使用 在
ltc3780 产品. 如果 这 输入 电压 是 预期的 至
漏出 在下 5v, 然后 这 sub-逻辑 门槛 mosfets
应当 是 考虑.
在 顺序 至 选择 这 电源 mosfets, 这 电源 dissi-
pated 用 这 设备 必须 是 知道. 为 转变 一个, 这
最大 电源 消耗 发生 在 boost 模式,
当 它 仍然是 在 所有 这 时间. 它的 最大 电源
消耗 在 最大 输出 电流 是 给 用:
P
V
V
IR
一个 BOOST
输出
在
输出 最大值 T DS 在,()()
•••
=
⎛
⎝
⎜
⎞
⎠
⎟
2
ρ
在哪里
ρ
T
是 一个 normalization 因素 (统一体 在 25
°
c) 账户-
ing 为 这 重大的 变化 在 在-阻抗 和
温度, 典型地 关于 0.4%/
°
c 作 显示 在 图-
ure 9. 为 一个 最大 接合面 温度 的 125
°
c,
使用 一个 值
ρ
T
= 1.5 是 合理的.
转变 b 运作 在 buck 模式 作 这 同步的
整流器. 它的 电源 消耗 在 最大 输出 电流
是 给 用:
P
VV
V
IR
BBUCK
在 输出
在
输出 最大值 T DS 在,()()
–
•••
=
2
ρ
转变 c 运作 在 boost 模式 作 这 控制 转变. 它的
电源 消耗 在 最大 电流 是 给 用:
P
VVV
V
IR
kV
I
V
Cf
CBOOST
输出 在 输出
在
输出 最大值 T DS 在
输出
输出 最大值
在
RSS
,()()
()
–
•••
•• ••
=
()
+
2
2
3
ρ
在哪里 c
RSS
是 通常地 指定 用 这 场效应晶体管 manufac-
turers. 这 常量 k, 这个 accounts 为 这 丧失 造成
用 反转 恢复 电流, 是 inversely 均衡的 至
这 门 驱动 电流 和 有 一个 empirical 值 的 1.7.
为 转变 d, 这 最大 电源 消耗 发生 在
boost 模式, 当 它的 职责 循环 是 高等级的 比 50%. 它的
最大 电源 消耗 在 最大 输出 电流
是 给 用:
P
V
V
V
V
IR
DBUCK
在
输出
输出
在
输出 最大值 T DS 在,()()
•• ••
=
⎛
⎝
⎜
⎞
⎠
⎟
2
ρ
为 这 一样 输出 电压 和 电流, 转变 一个 有 这
最高的 电源 消耗 和 转变 b 有 这 最低
电源 消耗 除非 一个 短的 occurs 在 这 输出.
从 一个 知道 电源 dissipated 在 这 电源 场效应晶体管, 它的
接合面 温度 能 是 得到 使用 这 下列的
formula:
T
J
= t
一个
+ p • r
th(ja)
接合面 温度 (
°
c)
–50
ρ
T
normalized 在-阻抗 (
Ω
)
1.0
1.5
150
3780 f09
0.5
0
0
50
100
2.0
图示 9. normalized r
ds(在)
vs 温度
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