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LTC3806
3806f
APPLICATIOs i 为 atio
WUUU
continuing 我们的 previous 例子 这 过滤 电容 为
输出 1 needs:
等效串联电阻
V
一个
m
C
一个
V kHz
F
COUT
输出
≤
()
=Ω
≥=µ
001 33 1 0579
2
7
2
0 01 3 3 250
242
.•. •–.
.•. •
至 得到 一个 electrolytic capcitor 和 一个 等效串联电阻 这个 低 将
需要 c
输出
更 大 比 242
µ
f. 结合 一个 低
等效串联电阻 陶瓷的 电容 在 并行的 和 一个 electrolytic
电容 提供 更好的 过滤 在 更小的 费用.
为 输出 2, 这 输出 电容 needs 一个 等效串联电阻 较少 比
42m
Ω
和 一个 大(量) c 更好 比 40.4
µ
f. 这个 能 是
达到 和 一个 单独的 高 效能 电容 此类 作
一个 sanyo os-con 或者 相等的.
once 这 输出 电容 等效串联电阻 和 大(量) 电容 有
被 决定, 这 整体的 波纹 电压 波形
应当 是 核实 在 一个 专心致志的 pc 板. parasitic
电感 从 poor 布局 能 有 一个 重大的 impact
在 波纹. 谈及 至 这 布局 部分 为 详细信息.
电源 场效应晶体管 选择
重要的 选择 criteria 为 这 电源 mosfets 在-
clude 这 “on” 阻抗 r
ds(在)
, 输入 电容,
流-至-源 损坏 电压 (bv
DSS
) 和 maxi-
mum 流 电流 (i
d(最大值)
).
narrow 这 choices 为 电源 mosfets 用 第一 looking 在
这 最大 流 电流. 为 这 primary-一侧 电源
场效应晶体管:
I
P
VD
X
PK
在
在 最小值 最大值
最小值
=+
()
•
•1
2
为 各自 secondary-一侧 电源 场效应晶体管:
I
I
D
X
PK
输出
最大值
最小值
=+
1
1
2–
•
从 这 remaining 场效应晶体管 choices, narrow 这 地方
为基础 在 bv
DSS
. 选择 一个 primary-一侧 电源 场效应晶体管
和 一个 bv
DSS
更好 比:
BV I
L
C
V
V
N
DSS PK
LKG
P
在 最大值
输出 最大值
≥++
()
()
在哪里 l
LKG
是 这 primary-一侧 泄漏 电感 和 c
P
是 这 primary-一侧 电容 (mostly 从 这 c
OSS
的
这 primary-一侧 电源 场效应晶体管). 一个 snubber 将 是
增加 至 减少 这 泄漏 电感 related 尖刺. 为
更多 信息 在 snubber 设计, 谈及 至 应用
便条 19.
为 各自 secondary-一侧 电源 场效应晶体管, 这 bv
DSS
应当
是 更好 比:
BV
DSS
≥
V
输出
+ v
在(最大值)
• n
next, 选择 一个 逻辑-水平的 场效应晶体管 和 可接受的 r
ds(在)
在 这 名义上的 门 驱动 电压 (通常地 6.9v—set 用 这
INTV
CC
调整器).
计算 这 必需的 rms 电流 next. 为 这 primary-
一侧 电源 场效应晶体管:
I
P
VD
RMSPRI
在
在 最小值 最大值
=
()
•
为 各自 secondary-一侧 电源 场效应晶体管:
I
I
D
RMSSEC
输出
最大值
=
−
1
计算 场效应晶体管 电源 消耗 next. 因为 这
primary-一侧 电源 场效应晶体管 运作 在 高 v
DS
, 一个 期
为 转变 电源 丧失 必须 是 包含 在 顺序 至 得到
一个 精确 fix 在 电源 消耗. c
MILLER
是 这 大多数
核心的 参数 在 determining 这 转变 丧失 但是 是
不 直接地 指定 在 场效应晶体管 数据 薄板.
C
MILLER
能 是 计算 从 这 门 承担 曲线 在-
cluded 在 大多数 数据 薄板 (图示 6). 这 曲线 是 gen-
erated 用 forcing 一个 常量 输入 电流 在 这 门 的
一个 一般 源, 电流 源 承载 平台 和 然后
plotting 这 门 电压 相比 时间. 这 最初的 斜度 是 这
结果 的 这 门-至-源 和 这 门-至-流 capaci-
tance. 这 flat portion 的 这 曲线 是 这 结果 的 这 miller
(门-至-流) 电容 作 这 流 电压 drops. 这
upper sloping 线条 是 预定的 至 这 门-至-流 accumulation
电容 和 这 门-至-源 电容. 这 miller
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