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LTC3806
3806f
承担 (这 增加 在 coulombs 在 这 horizontal axis
从 一个 至 b 当 这 曲线 是 flat) 是 指定 为 一个 给
V
DS
, 但是 能 是 调整 为 不同的 v
DS
电压 用
乘以 用 这 比率 的 这 应用 v
DS
至 这 曲线
指定 v
DS
值. 至 估计 这 c
MILLER
期, 引领
这 改变 在 门 承担 从 点 一个 和 b 在 这
manufacturers 数据 薄板 和 分隔 用 这 指定 v
DS
.
和 c
MILLER
决定, 计算 这 primary-一侧 电源
场效应晶体管 电源 消耗:
PI R V
P
D
RC
VV
f
DPRI RMSPRI DS 在 在 最大值
在 最大值
最小值
DR MILLER
INTVCC TH
=+
()
+
2
1
1
•
••••
–
•
() ( )
()
δ
在哪里 r
DR
是 这 gate1 驱动器 阻抗 (最大 是
大概 6
Ω
), v
TH
是 这 典型 门 门槛 volt-
age 为 这 指定 电源 场效应晶体管 和 f 是 这 运行
频率, 典型地 250khz. 这 期 (1 +
δ
) 是 一般地
给 为 一个 场效应晶体管 在 这 表格 的 一个 normalized r
ds(在)
vs
温度 曲线, 但是
δ
= 0.005/
°
c 能 是 使用 作 一个
approximation 为 低 电压 mosfets.
这 secondary-一侧 电源 mosfets 典型地 运作 在
substantially 更小的 v
DS
, 所以 转变 losses 能 是 ne-
glected. 这 消耗 将 是 计算 使用:
P
DSEC
= i
RMSSEC
2
• r
ds(在)
(1 +
δ
)
为 一个 知道 电源 消耗 在 这 电源 mosfets, 这
接合面 温度 能 是 得到 从 这 等式:
T
J
= t
一个
+ p
D
• r
th(ja)
在哪里 t
一个
是 这 包围的 温度 和 r
th(ja)
是 这
场效应晶体管 热的 阻抗 从 接合面 至 包围的.
对比 t
J
相反 your 最初的 估计 为 t
J
和 如果
需要, recompute
δ
, 电源 dissipations 和 t
J
. iter-
ate 作 需要.
selecting 这 补偿 网络
加载 步伐 测试 能 是 使用 至 empirically 决定
补偿. 应用 便条 25 提供 信息
在 这 技巧. 当 这 调整器 有 多样的 输出-
puts, 补偿 应当 是 优化 为 这 主控
输出.
pc 板 布局 checklist
1. 在 顺序 至 降低 切换 噪音 和 改进 输出-
放 加载 规章制度, 这 地 管脚 的 这 ltc3806 应当
是 连接 直接地 至 1) 这 负的 终端 的 这
INTV
CC
解耦 电容, 2) 这 负的 终端
的 这 输出 解耦 电容, 3) 这 bottom ter-
minal 的 这 电流 sense 电阻, 4) 这 负的 ter-
minal 的 这 输入 电容 和 5) 在 least 一个 通过 至 这
地面 平面 立即 调整 至 管脚 6 (地).
2. beware 的 地面 循环 在 多样的 layer pc boards. 尝试
至 维持 一个 central 地面 node 在 这 板 和
使用 这 输入 电容 至 避免 excess 输入 波纹 为
高 输出 电流 电源 供应. 如果 这 地面 平面
是 至 是 使用 为 高 直流 电流, choose 一个 path away
从 这 小-信号 组件.
3. 放置 这 c
VCC
电容 立即 调整 至 这
INTV
CC
和 地 管脚 在 这 ic 包装. 这个 电容
carries 高 di/dt 场效应晶体管 门 驱动 电流. 一个 低
等效串联电阻 x5r 4.7
µ
f 陶瓷的 电容 工作 好 here.
4. 这 高 di/dt 循环 从 这 bottom 终端 的 这
输入 电容 通过 这 sense 电阻, primary-
一侧 电源 场效应晶体管, 变压器 primary 和 后面的
通过 这 输入 电容 应当 是 保持 作 tight 作
可能 在 顺序 至 减少 emi. 也 保持 这 循环
formed 用 这
输出
作 tight 作 可能.
5. 审查 这 切换 波形 的 这 mosfets 使用
这 真实的 pc 板 布局. measure 直接地 横过 这
电源 场效应晶体管 terminals 至 核实 那 这 bv
DSS
规格 的 这 场效应晶体管 是 不 超过 预定的 至
inductive ringing. 如果 这个 ringing 不能 是 避免 和
APPLICATIOs i 为 atio
WUUU
miller 效应
一个
V
GS
Q
在
C
MILLER
= (q
B
– q
一个
)/v
DS
b
V
在
≅
V
DS
设备
下面 测试
I
门
3806 f06
V
GS
+
–
图示 6. 门 承担 曲线 和 测试 电路
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