tlv2332, tlv2332y, tlv2334, tlv2334y
LinCMOS
低-电压 中等-电源
运算的 放大器
slos189 – 二月 1997
25
邮递 办公室 盒 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
应用 信息
单独的-供应 运作 (持续)
这 tle2426 供应 一个 精确 电压 equal 至 v
DD
/2, 当 consuming 非常 little 电源 和 是 合适的
为 供应 电压 的 更好 比 4 v. 这 tlv233x 工作 好 在 conjunction 和 数字的 逻辑; 不管怎样, 当
powering 两个都 直线的 设备 和 数字的 逻辑 从 这 一样 电源 供应, 这 下列的 预防措施 是
推荐:
•
电源 这 直线的 设备 从 独立的 绕过 供应 线条 (看 图示 40); 否则, 这 直线的
设备 供应 围栏 能 fluctuate 预定的 至 电压 drops 造成 用 高 切换 电流 在 这 数字的
逻辑.
•
使用 恰当的 绕过 技巧 至 减少 这 probability 的 噪音-induced errors. 单独的 电容的
解耦 是 常常 足够的; 不管怎样, rc 解耦 将 是 需要 在 高-频率
产品.
–
+
逻辑 逻辑 逻辑
电源
供应
–
+
逻辑 逻辑 逻辑
电源
供应
(一个) 一般-供应 围栏
(b) 独立的-绕过 供应 围栏 (preferred)
图示 40. 一般 相比 独立的 供应 围栏
输入 特性
这 tlv233x 是 指定 和 一个 最小 和 一个 最大 输入 电压 那, 如果 超过 在 也 输入, 可以
导致 这 设备 至 运转. exceeding 这个 指定 范围 是 一个 一般 问题, 特别 在
单独的-供应 运作. 这 更小的 这 范围 限制 包含 这 负的 栏杆, 当 这 upper 范围 限制 是
指定 在 v
DD
– 1 v 在 t
一个
= 25
°
c 和 在 v
DD
– 1.2 v 在 所有 其它 温度.
这 使用 的 这 polysilicon-门 处理 和 这 细致的 输入 电路 设计 给 这 tlv233x 非常 好的 输入
补偿 电压 逐渐变化 特性 相关的 至 常规的 metal-门 处理. 补偿 电压 逐渐变化 在 cmos
设备 是 高级地 影响 用 门槛 电压 shifts 造成 用 polarization 的 这 phosphorus dopant
implanted 在 这 oxide. 放置 这 phosphorus dopant 在 一个 conductor (此类 作 一个 polysilicon 门) alleviates 这
polarization 问题, 因此 减少 门槛 电压 shifts 用 更多 比 一个 顺序 的 巨大. 这 补偿
电压 逐渐变化 和 时间 有 被 计算 至 是 典型地 0.1
µ
v/month, 包含 这 第一 month 的 运作.
因为 的 这 极其 高 输入 阻抗 和 结果 低 偏差-电流 (所需的)东西, 这 tlv233x 是
好 suited 为 低-水平的 信号 处理; 不管怎样, 泄漏 电流 在 打印-电路 boards 和 插座 能
容易地 超过 偏差-电流 (所需的)东西 和 导致 一个 降级 在 设备 效能.
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