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资料编号:1012663
 
资料名称:M48T35Y-70MH1
 
文件大小: 142K
   
说明
 
介绍:
256 Kbit 32Kb x8 TIMEKEEPER SRAM
 
 


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m48t35, m48t35y
表格 5. 电容
(1, 2)
(t
一个
= 25 °c)
便条: 1. 有效的 电容 量过的 和 电源 供应 在 5v.
2. 抽样 仅有的, 不 100% 测试.
3. 输出 deselected.
表格 6. 直流 特性
(t
一个
= 0 至 70 °c 或者 –40 至 85 °c; v
CC
= 4.75v 至 5.5v 或者 4.5v 至 5.5v)
便条: 1. 输出 deselected.
2.
负的 尖刺 的 –1v 允许 为 向上 至 10ns once 每 循环.
表格 7. 电源 向下/向上 trip 点 直流 特性
(1)
(t
一个
= 0 至 70 °c 或者 –40 至 85 °c)
便条: 1. 所有 电压 关联 至 v
SS
.
2. caphat 和 m4t32-br12sh1 snaphat 仅有的, m4t28-br12sh1 snaphat 顶 t
DR
= 7 年 (典型值).
3. 使用 大 m4t32-br12sh6 snaphat 顶 (推荐 为 工业的 温度 范围 - 等级 6 设备).
标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 单位
C
输入 电容
V
= 0v
10 pF
C
IO
(3)
输入 / 输出 电容
V
输出
= 0v
10 pF
标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 单位
I
LI
(1)
输入 泄漏 电流
0V
V
V
CC
±1 µA
I
LO
(1)
输出 泄漏 电流
0V
V
输出
V
CC
±5 µA
I
CC
供应 电流 输出 打开 50 毫安
I
CC1
供应 电流 (备用物品) ttl
E
= v
IH
3mA
I
CC2
供应 电流 (备用物品) cmos
E
= v
CC
– 0.2v
3mA
V
IL
(2)
输入 低 电压 –0.3 0.8 V
V
IH
输入 高 电压 2.2
V
CC
+ 0.3
V
V
OL
输出 低 电压
I
OL
= 2.1ma
0.4 V
V
OH
输出 高 电压
I
OH
= –1ma
2.4 V
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位
V
PFD
电源-失败 deselect 电压
M48T35 4.5 4.6 4.75 V
M48T35Y 4.2 4.35 4.5 V
V
所以
电池 后面的-向上 switchover 电压 3.0 V
t
DR
预期的 数据 保持 时间
(在 25°c)
等级 1
10
(2)
等级 6
10
(3)
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