m59dr016c, m59dr016d
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图示 2. tfbga 连接 (顶 视图 通过 包装)
AI04113
C
B
一个
87654321
E
D
F
A4
A7V
PP
A8A11
A13
A0EDQ8DQ5DQ14A16
V
SS
DQ0DQ9DQ3DQ6DQ15V
DDQ
DQ1DQ10V
DD
DQ7V
SS
DQ2
A2
A5A17WA10
A14
A1A3A6NCNCA9A12A15
RP A18
DQ4
DQ13
G
DQ12
DQ11
WP A19
表格 1. 信号 names
a0-a19 地址 输入
dq0-dq15 数据 输入/输出, command 输入
E
碎片 使能
G
输出 使能
W
写 使能
RP
重置/电源 向下
WP
写 保护
V
DD
供应 电压
V
DDQ
供应 电压 为 输入/输出
缓存区
V
PP
optional 供应 电压 为
快 程序 &放大; 擦掉
V
SS
地面
NC 不 连接 内部
描述
这 m59dr016 是 一个 16 mbit 非-易变的 flash
记忆 那 将 是 erased 用电气 在 块
水平的 和 编写程序 在-系统 在 一个 文字-用-
文字 基准 使用 一个 1.65v 至 2.2v v
DD
供应 为
这 电路系统. 为 程序 和 擦掉 行动
这 需要 高 电压 是 发生 inter-
nally. 这 设备 支持 异步的 页
模式 从 所有 这 blocks 的 这 记忆 排列.
这 排列 矩阵变换 organization 准许 各自 块 至
是 erased 和 reprogrammed 没有 影响
其它 blocks. 所有 blocks 是 保护 相反 pro-
gramming 和 擦掉 在 电源 向上. blocks 能 是
unprotected 至 制造 改变 在 这 应用
和 然后 reprotected.
说明 为 读/重置, 自动 选择, 写
配置 寄存器, 程序编制, 块
擦掉, bank 擦掉, 擦掉 suspend, 擦掉 re-
sume, 块 保护, 块 unprotect, 块 锁-
ing, cfi query, 是 写 至 这 记忆 通过
一个 command 接口 使用 标准 micropro-
cessor 写 timings.
这 设备 是 offered 在 tfbga48 (0.75 mm 程度)
包装 和 它 是 有提供的 和 所有 这 位 erased
(设置 至 ‘1’).
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