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m59dr016c, m59dr016d
Organization
这 m59dr016 是 有组织的 作 1mb x16 位. a0-
a19 是 这 地址 线条, dq0-dq15 是 这
数据 输入/输出. 记忆 控制 是 提供 用
碎片 使能 e
, 输出 使能 g和 写 使能
W
输入.
重置 rp
是 使用 至 重置 所有 这 记忆 电路系统
和 至 设置 这 碎片 在 电源 向下 模式 如果 这个
函数 是 使能 用 一个 恰当的 设置 的 这 con-
figuration 寄存器. 擦掉 和 程序 行动
是 控制 用 一个 内部的 程序/擦掉 con-
troller (p/e.c.). 状态 寄存器 数据 输出 在
dq7 提供 一个 数据 polling 信号, dq6 和 dq2
提供 toggle 信号 和 dq5 提供 错误 位
至 表明 这 状态 的 这 p/e.c 行动.
记忆 blocks
这 设备 特性 asymmetrically blocked archi-
tecture. m59dr016 有 一个 排列 的 39 blocks 和
是 分隔 在 二 banks 一个 和 b, 供应 双
bank 行动. 当 程序编制 或者 erasing 在
bank 一个, 读 行动 是 可能 在 bank b
或者 恶行 对抗. 这 记忆 也 特性 一个 擦掉
suspend 准许 至 读 或者 程序 在 另一
块 在里面 这 一样 bank. once suspended 这
擦掉 能 是 resumed. 这 bank 大小 和 sector-
ization 是 summarized 在 表格 7. 参数
blocks 是 located 在 这 顶 的 这 记忆 ad-
dress 空间 为 这 m59dr016c, 和 在 这 bot-
tom 为 这 m59dr016d. 这 记忆 maps 是
显示 在 tables 3, 4, 5 和 6.
这 程序 和 擦掉 行动 是 managed
automatically 用 这 p/e.c. 块 保护
相反 程序 或者 擦掉 提供 额外的 数据
安全. 所有 blocks 是 保护 在 电源 向上. 在-
structions 是 提供 至 保护 或者 unprotect 任何
块 在 这 应用. 一个 第二 寄存器 locks
这 保护 状态 当 wp
是 低 (看 块
locking 描述). 这 重置 command 做
不 影响 这 配置 的 unprotected blocks
和 这 配置 寄存器 状态.
表格 2. 绝对 最大 比率
(1)
便条: 1. 除了 为 这 比率 "运行 温度 范围", 压力 在之上 那些 列表 在 这 表格 "绝对 最大 比率"将
导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这些 是 压力 比率 仅有的 和 运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况
在之上 那些 表明 在 这 运行 sections 的 这个 规格 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 最大 比率 condi-
tions 为 扩展 时期 将 影响 设备 可靠性. 谈及 也 至 这 意法半导体 确信 程序 和 其它 相关的qual-
ity documents.
2. 取决于 在 范围.
3.
最小 电压 将 undershoot 至 –2v 在 转变 和 为 较少 比 20ns.
标识 参数 值 单位
T
一个
包围的 运行 温度
(2)
–40 至 85 °C
T
偏差
温度 下面 偏差 –40 至 125 °C
T
STG
存储 温度 –55 至 155 °C
V
IO
(3)
输入 或者 输出 电压
–0.5 至 v
DDQ
+0.5
V
V
DD
, v
DDQ
供应 电压 –0.5 至 2.7 V
V
PP
程序 电压 –0.5 至 13 V
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