m59dr016c, m59dr016d
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表格 8. 用户 总线 行动
(1)
便条: 1. x = don’t 小心.
表格 9. 读 电子的 signature (作 和 读 cfi 说明)
表格 10. 读 块 保护 (作 和 读 cfi 说明)
表格 11. 读 配置 寄存器 (作 和 读 cfi 说明)
运作 E G W RP WP dq15-dq0
写
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
数据 输入
输出 使不能运转
V
IL
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
hi-z
备用物品
V
IH
XX
V
IH
V
IH
hi-z
重置 / 电源 向下 X X X
V
IL
V
IH
hi-z
块 locking
V
IL
XX
V
IH
V
IL
X
代号 设备 E
G W A0 A1 a7-a2
其它
地址
dq15-dq8 dq7-dq0
生产者 代号
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
0 don’t 小心 00h 20h
设备 代号
M59DR016C
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
0 don’t 小心 22h 93h
M59DR016D
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
0 don’t 小心 22h 94h
块 状态 E
G W A0 A1 a19-a12 a7-a2
其它
地址
DQ0 DQ1 dq15-dq2
保护 块
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
块 地址 0 don’t 小心 1 0 0000h
unprotected 块
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
块 地址 0 don’t 小心 0 0 0000h
锁 块
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
块 地址 0 don’t 小心 X 1 0000h
RP
函数 E G W A0 A1 a7-a2 其它 地址 DQ10
dq9-dq0
dq15-dq11
重置
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
IH
0 don’t 小心 0 don’t 小心
重置/电源 向下
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
IH
0 don’t 小心 1 don’t 小心
自动 备用物品.
当 在 读 模式, 之后
150ns 的 总线 inactivity 和 当 cmos 水平 是
驱动 这 地址, 这 碎片 automatically en-
ters 一个 pseudo-备用物品 模式 在哪里 消耗量
是 减少 至 这 cmos 备用物品 值, 当 输出-
puts 安静的 驱动 这 总线.
电源 向下.
这 记忆 是 在 电源 向下
当 这 配置 寄存器 是 设置 为 电源
向下 和 rp
是 在 v
IL
. 这 电源 消耗量 是
减少 至 这 电源 向下 水平的, 和 输出 是
在 高 阻抗, 独立 的 这 碎片 en-
能 e
, 输出 使能 g或者 写 使能 w输入.
块 locking.
任何 结合体 的 blocks 能
是 temporarily 保护 相反 程序 或者
擦掉 用 设置 这 锁 寄存器 和 拉 wp
至 v
IL
(看 块 锁 操作指南).
双 bank 行动.
这 双 bank 准许 至
读 数据 从 一个 bank 的 记忆 当 一个 pro-
gram 或者 擦掉 运作 是 在 progress 在 这 其它
bank 的 这 记忆. 读 和 写 循环 能
是 initiated 为 同时发生的 行动 在 不同的
banks 没有 任何 延迟. 状态 寄存器 在
程序 或者 擦掉 必须 是 监控 使用 一个 ad-
dress 在里面 这 bank 正在 修改.
输出 使不能运转.
这 数据 输出 是 高 im-
pedance 当 这 输出 使能 g
是 在 v
IH
和
写 使能 w
在 v
IH
.
备用物品.
这 记忆 是 在 备用物品 当 碎片
使能 e
是 在 v
IH
和 这 p/e.c. 是 空闲. 这 pow-
er 消耗量 是 减少 至 这 备用物品 水平的
和 这 输出 是 高 阻抗, 独立
的 这 输出 使能 g
或者 写 使能 w输入.
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