M59PW1282-100M1T_集成电路资料查询网

1/24十一月 2003
M59PW1282
128mbit (二 64mb, x16, uniform 块, lightflash™)
3v 供应, 多样的 记忆 产品
特性 summary
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掩饰-只读存储器 管脚-输出 兼容
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二 64 mbit lightflash™ memories
stacked 在 一个 单独的 包装
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供应 电压
–V
CC
=
2.7 至 3.6v 为 读
–V
PP
=
11.4 至 12.6v 为 程序 和 擦掉
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进入 时间
–90ns 在 v
CC
=
3.0 至 3.6v
– 100, 120ns 在 v
CC
=
2.7 至 3.6v
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程序编制 时间
– 9µs 每 文字 典型
– 多样的 文字 程序编制 选项
(16s 典型 碎片 程序)
■
擦掉 时间
– 85s 典型 碎片 擦掉
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uniform blocks
– 64 blocks 的 2 mbits
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程序/擦掉 控制
– embedded 文字 程序 algorithms
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10,000 程序/erase 循环 每
块
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电子的 signature
– 生产者 代号: 0020h
– 设备 代号 : 88a8h
图示 1. 包装
so44 (m)

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1/24十一月 2003 M59PW1282 128mbit (二 64mb, x16, uniform 块, lightflash™) 3v 供应, 多样的记忆产品特性 summary ■ 掩饰-只读存储器管脚-输出兼容 ■ 二 64 mbit lightflash™ memories stacked 在一个单独的包装 ■ 供应电压 –V CC = 2.7 至 3.6v 为读 –V PP = 11.4 至 12.6v 为程序和擦掉 ■ 进入时间 –90ns 在 v CC = 3.0 至 3.6v – 100, 120ns 在 v CC = 2.7 至 3.6v ■ 程序编制时间 – 9µs 每文字典型 – 多样的文字程序编制选项 (16s 典型碎片程序) ■ 擦掉时间 – 85s 典型碎片擦掉 ■ uniform blocks – 64 blocks 的 2 mbits ■ 程序/擦掉控制 – embedded 文字程序 algorithms ■ 10,000 程序/erase 循环每块 ■ 电子的 signature – 生产者代号: 0020h – 设备代号 : 88a8h 图示 1. 包装 so44 (m)

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