首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:1013776
 
资料名称:M59PW1282-100M1T
 
文件大小: 414K
   
说明
 
介绍:
128Mbit (two 64Mb, x16, Uniform Block, LightFlash⑩) 3V Supply, Multiple Memory Product
 
 


: 点此下载
  浏览型号M59PW1282-100M1T的Datasheet PDF文件第15页
15
浏览型号M59PW1282-100M1T的Datasheet PDF文件第16页
16
浏览型号M59PW1282-100M1T的Datasheet PDF文件第17页
17
浏览型号M59PW1282-100M1T的Datasheet PDF文件第18页
18

19
浏览型号M59PW1282-100M1T的Datasheet PDF文件第20页
20
浏览型号M59PW1282-100M1T的Datasheet PDF文件第21页
21
浏览型号M59PW1282-100M1T的Datasheet PDF文件第22页
22
浏览型号M59PW1282-100M1T的Datasheet PDF文件第23页
23
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
19/24
M59PW1282
图示 12. 读 交流 波形
表格 13. 读 交流 特性
便条: 1. V
PP
必须 是 应用 之后 v
CC
和 和 这 碎片 enable (e) 在 v
IH
.
2. 抽样 仅有的, 不 100% 测试.
标识 Alt
参数
(1)
测试 情况
M59PW1282
单位100 120
V
CC
= 3.0 至 3.6v V
CC
= 2.7 至 3.6v V
CC
= 2.7 至 3.6v
t
AVQV
t
ACC
地址 有效的 至
输出 有效的
E
= v
IL
,
G
= v
IL
最大值 90 100 120 ns
t
ELQV
t
CE
碎片 使能 低 至
输出 有效的
G
= v
IL
最大值 90 100 120 ns
t
GLQV
t
OE
输出 使能 低 至
输出 有效的
E
= v
IL
最大值 35 35 35 ns
t
EHQZ
(2)
t
HZ
碎片 使能 高 至
输出 hi-z
G
= v
IL
最大值 30 30 30 ns
t
GHQZ
(2)
t
DF
输出 使能 高
至 输出 hi-z
E
= v
IL
最大值 30 30 30 ns
t
AXQX
t
OH
地址 转变 至
输出 转变
最小值 0 0 0 ns
AI08232
tAVQV tAXQX
tEHQZ
tGLQV
有效的
a0-a22
G
dq0-dq15
E
tELQV
tGHQZ
有效的
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com